铸造法生产类似单晶硅锭晶种制作方法技术

本发明专利技术公开了一种铸造法生产类似单晶硅锭晶种制作方法，涉及晶种制作方法，采用的单晶硅晶向为，电阻率≥0.1Ω?cm，极性不限；依次进行以下工序：a.该圆柱状单晶硅的直径选择在130～250mm之间；b.断棱处反切50～350mm；c.采用开方机将单晶硅加工成方棒；d.采用平磨机对方棒四边进行抛光；e.采用截断机将硅单晶切割成每块高度在5～50mm的晶块；f.采用化学抛光或机械抛光，对晶块进行抛光，去除表面损伤层；清洗干净，烘干包装，待用。本发明专利技术的有益效果在于：通过本方法的控制，可有效地减少晶种引起的缺陷，使得铸锭炉生长类似单晶的质量提高。经试验表明，电池片转换效率可上升0.1%左右。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及晶体生长领域，进一步涉及晶种制作方法，具体是。
技术介绍
生产硅锭的方法有CZ法生产单晶硅锭，铸锭法生产多晶硅锭，FZ法生产单晶硅锭、EFG生产硅带等方法。由于成本问题，目前太阳能电池片主要使用CZ法单晶硅片和铸造法多晶硅片。CZ法单晶硅由于制造成本是铸锭多晶硅的4 5倍，能耗上高出5 7倍， 导致CZ单晶硅的市场份额越来越少。但由于铸锭法生产多晶硅锭，存在大量的位错、晶界， 使得铸锭法多晶硅片制成的电池片，存在效率偏低的情况，一直使铸锭法多晶硅锭无法完全取代CZ单晶硅锭。在国际上，跨国巨头BP公司的对用铸锭炉生产类似单晶(准单晶)硅锭的工艺已开发多年，2010年被ALD收购，使得ALD多晶铸锭炉已经小规模开发出铸锭法生产类似单晶硅锭的设备和工艺。目前，尚未见到针对在GT或四面及顶面加热器的铸锭炉生长类似单晶(准单晶)过程中，铸造法生产类似单晶(准单晶)硅锭晶种制作方法的内容的公开报道或专利申请。如果晶种制备工艺不过关，会导致出现大量晶体缺陷，类似单晶的质量也会受到影响。
技术实现思路
本专利技术的目的就是提供一种，在GT或四面及顶面加热器的铸锭炉生长类似单晶(准单晶)过程中，采用该方法，可有效减少晶种引起的缺陷，使得铸锭炉生长类似单晶的质量提高。本专利技术的目的是通过以下方案实现的，采用的单晶硅晶向为<100>，电阻率彡0. 1 Ω ·_，极性不限；其特征在于依次进行以下工序 a该圆柱状单晶硅的直径选择在130 250mm之间； b断棱处反切50 :350mm ； c采用开方机将单晶硅加工成方棒； d采用平磨机对方棒四边进行抛光； e采用截断机将硅单晶切割成每块高度在5 50mm的晶块； f采用化学抛光或机械抛光，对晶块进行抛光，去除表面损伤层；清洗干净，烘干包装， 待用。进一步对a工序a该单晶硅的直径选择在140 MOmm之间； 对b工序b断棱处反切100 320mm ；对e工序采用截断机将硅单晶切割成每块高度在10 45mm的晶块。更进一步对a工序该单晶硅的直径选择在150 230mm之间； 对b工序b断棱处反切200 300mm ；对e工序采用截断机将硅单晶切割成每块高度在15 40mm的晶块。具体对a工序单晶硅的直径还可选择130 150mm，或150 170mm，或170 190mm，或 190 210mm，或 210 230mm，或 230 250mm，或 150 230mm。对b工序断棱处可反切还可选择50 80匪，或80 120匪，或120 160匪，或 160 200mm，或 200 240mm，或 240 260mm，或 260 300mm，或 300 350mm。对e工序采用截断机将硅单晶切割成每块高度在5 10mm，10 15mm，15 20mm, 20 25mm，25 30mm，30 35mm，35 40mm，40 45mm，45 50mm 的晶块。本专利技术的有益效果在于通过本方法的控制，可有效地减少晶种引起的缺陷，如可避免在通常情况下边上、顶部长出多晶晶粒，使得铸锭炉生长类似单晶的质量提高。经相关试验表明，采用本专利技术提供的方法生产的类似单晶，制造的电池片转换效率可上升0. 1%左右O具体实施例方式为了使本
的人员更好地理解本专利技术方案，并使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合实施例对本专利技术作进一步详细的说明。实施例1 铸造法生产类似单晶(或称准单晶)硅锭晶种制作方法，在铸造多晶炉(GT炉，及采用四面加热器及顶部加热器的结构多晶铸造炉)内生产类似单晶(准单晶)，采用的单晶硅晶向为<100>，电阻率大于或等于0. 1 Ω -cm (欧姆·厘米)，极性不限；依次进行以下工序 a该圆柱状单晶硅的直径选择在130 150mm (如130mm)之间； b断棱处反切50 80mm (如50mm)； c采用开方机将单晶硅加工成方棒； d采用平磨机对方棒四边进行抛光；e采用截断机将硅单晶切割成每块高度在5 IOmm (如5mm)的晶块；也可以根据需要切割成其它高度的晶块；f采用化学抛光或机械抛光，对晶块进行抛光，去除表面损伤层。清洗干净，烘干包装， 待用。实施例2:铸造法生产类似单晶(或称准单晶)硅锭晶种制作方法，在铸造多晶炉(GT炉，及采用四面加热器及顶部加热器的结构多晶铸造炉)内生产类似单晶(准单晶)，采用的单晶硅晶向为<100>，电阻率大于或等于0. 1 Ω -cm (欧姆·厘米)，极性不限；依次进行以下工序 a该圆柱状单晶硅的直径选择在230 250mm (如250mm)之间； b断棱处反切300 350mm (如350mm)； c采用开方机将单晶硅加工成方棒； d采用平磨机对方棒四边进行抛光；e采用截断机将硅单晶切割成每块高度在45 50mm (如50mm)的晶块；也可以根据需要切割成其它高度的晶块；f采用化学抛光或机械抛光，对晶块进行抛光，去除表面损伤层。清洗干净，烘干包装， 待用。实施例3:铸造法生产类似单晶(或称准单晶)硅锭晶种制作方法，在铸造多晶炉(GT炉，及采用四面加热器及顶部加热器的结构多晶铸造炉)内生产类似单晶(准单晶)，采用的单晶硅晶向为<100>，电阻率大于或等于0. 1 Ω -cm (欧姆·厘米)，极性不限；依次进行以下工序 a该圆柱状单晶硅的直径选择在200mm (毫米)之间； b断棱处反切200mm ； c采用开方机将单晶硅加工成方棒； d采用平磨机对方棒四边进行抛光；e采用截断机将硅单晶切割成每块高度在30mm的晶块；也可以根据需要切割成其它高度的晶块；f采用化学抛光或机械抛光，对晶块进行抛光，去除表面损伤层。清洗干净，烘干包装， 待用。以上所述，仅为本专利技术的具体实施方式，但本专利技术的保护范围并不局限于此，任何熟悉本
的技术人员在本专利技术揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本专利技术的保护范围之内。权利要求1.，采用的单晶硅晶向为<100>，电阻率彡0. 1 Ω -cm,极性不限；其特征在于依次进行以下工序a该圆柱状单晶硅的直径选择在130 250mm之间； b断棱处反切50 :350mm ； c采用开方机将单晶硅加工成方棒； d采用平磨机对方棒四边进行抛光； e采用截断机将硅单晶切割成每块高度在5 50mm的晶块； f采用化学抛光或机械抛光，对晶块进行抛光，去除表面损伤层；清洗干净，烘干包装， 待用。2.根据权利要求1所述的，其特征在于其中， a该单晶硅的直径选择在140 240mm之间。3.根据权利要求1所述的，其特征在于其中， b断棱处反切100 320mm。4.根据权利要求1所述的，其特征在于其中， e将硅单晶切割成每块高度在10 45mm的晶块。5.根据权利要求1所述的，其特征在于其中， a该单晶硅的直径选择在150 230mm之间。6.根据权利要求1所述的，其特征在于其中， b断棱处反切200 300mm。7.根据权利要求1所述的，其特征在于其中， e将硅单晶切割成每块高度在15 40mm的晶块。全文摘要本专利技术公开了一种，涉及晶种制作方法，采用的单晶硅晶向为，电阻率≥0.1Ω cm，极性不限；依次进行以下本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．铸造法生产类似单晶硅锭晶种制作方法，采用的单晶硅晶向为（１００），电阻率≥０．１Ω·ｃｍ，极性不限；其特征在于依次进行以下工序：ａ该圆柱状单晶硅的直径选择在１３０～２５０ｍｍ之间；ｂ断棱处反切５０～３５０ｍｍ；ｃ采用开方机将单晶硅加工成方棒；ｄ采用平磨机对方棒四边进行抛光；ｅ采用截断机将硅单晶切割成每块高度在５～５０ｍｍ的晶块；ｆ采用化学抛光或机械抛光，对晶块进行抛光，去除表面损伤层；清洗干净，烘干包装，待用。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：石坚，熊涛涛，
申请(专利权)人：安阳市凤凰光伏科技有限公司，石坚，
类型：发明
国别省市：41