一种倾斜式超大高宽比AFM探针及其制备方法技术

本发明专利技术揭示了微纳机械传感器领域中的一种倾斜式超大高宽比AFM探针及其制备方法。该探针包括倾斜式针尖、悬臂梁及主体支撑结构，其特征在于采用顶层硅厚度等于AFM探针悬臂梁厚度的（100）型SOI硅片为制备原料；首先在SOI硅片的顶层硅上应用湿法刻蚀工艺形成AFM探针的悬臂梁，之后在位于悬臂梁顶端的(111)面上制备催化剂颗粒；然后采用化学气相沉积工艺进行硅纳米线的生长形成AFM探针的针尖，得到目标产物。本发明专利技术采用硅纳米线生长工艺形成探针的针尖，突破了当前工艺对倾斜式超大高宽比AFM探针制备的限制，真正实现了倾斜式超大高宽比AFM探针可控制备。?

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：吴东岷，李加东，
申请(专利权)人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所，
类型：发明
国别省市：