【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及半导体元件，具体是由III-V化合物半导体制成的太阳能电池，如在陆地PV集中器系统所使用的或用于卫星中的电能供应。不过，在必需高隧道电流密度，或者使用特殊材料的情况下，并且在不需要在整个结构中的应力的情况下，它还用在其它光电元件中，诸如激光二极管和发光二极管。
技术介绍
多重太阳能电池由包括具有降低的带隙的不同半导体材料的多个p-n结组成。使用的半导体材料通常是例如砷化镓之类的III-V化合物半导体和比如硅或锗之类的基本半导体。但是，也可以使用诸如碲化镉之类的II-VI化合物半导体，诸如硅锗(SiGe)之类的混合半导体。多重太阳能电池使用比只具有一个P-n结的太阳能电池更好的太阳光谱， 因此达到最高效率。用三重电池可达到超过40%的光电转换效率。多重太阳能电池中的各个部分的电池必须彼此电连接。该连接应该是透明的，且具有低电阻。因此，带内隧道二极管用在当前的太阳能电池结构中。低电阻可由隧道效应获得，且通过适当选择半导体材料，保证足够高的光透明度。对于由多个不同的半导体层制成的元件，通常要求所有层有与衬底匹配的恒定晶格常数，以便最小化结构中的应力和缺陷...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：沃尔夫冈·古特，弗兰克·迪姆罗特，扬·朔内，
申请(专利权)人：弗劳恩霍弗应用技术研究院，
类型：发明
国别省市：
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