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由应力补偿化合物半导体层构成的隧道二极管制造技术
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下载由应力补偿化合物半导体层构成的隧道二极管的技术资料
文档序号:7284795
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本发明涉及半导体元件,具体是由III-V化合物半导体制成的太阳能电池,如在陆地PV集中器系统所使用的或用于卫星中的电能供应。不过,或者在需要高隧道电流密度,或者使用特殊材料的情况下,并且在不要求整个结构中的应力的情况下,它还用在其它光电元件...
该专利属于弗劳恩霍弗应用技术研究院所有,仅供学习研究参考,未经过弗劳恩霍弗应用技术研究院授权不得商用。
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