同时驱入镍并调整阈值电压的金属诱导多晶硅薄膜晶体管制造技术

本实用新型专利技术提供一种同时驱入镍并调整阈值电压的金属诱导多晶硅薄膜晶体管，包括：衬底，位于衬底上的有源层，其特征在于，在低温氧化物层上蚀刻出相互间隔的诱发线，将磁控溅射的镍作为栅极电极；注入硼后在氮气中退火来完全晶化，去除低温氧化物层来限定有源岛。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种晶体管，更具体地，本技术涉及一种实现镍驱入和阈值电压调整的多晶硅薄膜晶体管。
技术介绍
低温多晶硅薄膜晶体管(LTPS TFT)被认为是用于下一代平板显示器的良好候选元件。较低的处理温度(600°C以下)使得LTPS TFT适合用于低成本的玻璃衬底。当用作像素的切换晶体管时，多晶硅TFT的较高的迁移性比硅TFT能够提供更高的开口率，多晶硅的较高迁移性还可以使得外围驱动电路集成在玻璃衬底上，并且实现平板上系统。金属诱导晶化被认为是获取高质量多晶硅的快速的和低成本的方法，少量的镍被引入非晶硅中。在热退火的条件下，扩散到Si中并且形成NiSi2，用作晶化的晶体，还会在多晶硅中引入金属污染，导致泄漏电流的增加。为了降低镍残渣的数量和晶粒边界，已经开发了不同的金属诱导晶化工艺，包括金属诱导横向晶化、金属诱导非横向晶化，基于MIC的解决方案，通过覆盖层的MIC等工艺。 近期，提出用于η沟道多晶硅TFT的MILC工艺的一种新的方法，该方法使用氟注入工艺来将镍驱入a-Si中。在注入工艺之后，在退火之前去除遗留在a-Si的表面上的镍。然而，多晶硅薄膜本质上总是η型的，从而，对于ρ沟道T本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：赵淑云，郭海成，凌代年，邱成峰，贾洪亮，黄飚，黄宇华，史亮亮，张峰，
申请(专利权)人：广东中显科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：