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本实用新型提供一种同时驱入镍并调整阈值电压的金属诱导多晶硅薄膜晶体管，包括：衬底，位于衬底上的有源层，其特征在于，在低温氧化物层上蚀刻出相互间隔的诱发线，将磁控溅射的镍作为栅极电极；注入硼后在氮气中退火来完全晶化，去除低温氧化物层来限定有源...
该专利属于广东中显科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过广东中显科技有限公司授权不得商用。

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