用于一非易失性存储器阵列的标记方法及初始化方法技术

本发明专利技术提出一种用于一非易失性存储器阵列的标记方法及初始化方法，该非易失性存储器阵列包含多个存储单元，每个存储单元各包含多个字节。该标记方法包含下列步骤：判断各该存储单元的字节可正常存取；以及写入一标记至该存储单元。该初始化方法包括下列步骤：读取各该存储单元的标记；判断该标记符合一预设值；记录标记符合预设值的该等存储单元至一识别表中；以及消去该等标记。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种标记方法及初始化方法，特别涉及一种用于一非易失性存储器的标记方法及初始化方法。
技术介绍
一般而言，非易失性存储器阵列(non-volatile memory array)是由多个区块(block)所组成，每个区块分别包含多个分页(page)，每个分页又分别包含多个字节 (byte)。现有的存储器阵列是以分页作为数据写入的单位，而以区块为数据擦除的单位。 也就是指，一个区块的每一分页可分别写入一笔数据，但如果其中一分页的数据要擦除时， 该区块的其他分页的数据需一起被擦除。因此，区块的某一分页为异常(无法正常存取) 时，将造成该区块无法进行数据擦除，该区块也就不应被使用，以免发生数据读取错误或消失等问题。通常一存储器阵列在制造端(例如一晶片厂)中制造完后，即会利用一测试装置来测试或扫瞄该存储器阵列，当发现一区块中部分分页或字节异常时，该区块会被写入一损坏标记(bad mark)。测试完后，若正常的区块比例高于客户要求，例如客户对于良品的定义为正常区块比例为90%以上，而该存储器阵列的正常区块高达95%，则制造端便可将其列为良品，而将存储器阵列出货给应用端(或是其他使用者端)。应用端接着会将该存储器阵列与一控制器(或是其他固件)相连接。控制器会去扫瞄及读取哪些区块有损坏标记， 以判断哪些区块不应使用，此动作称为初始化。然而，『对异常的区块写入损坏标记』至少具有以下缺失1.现有的检测方式为，若局部分页或字节损坏，将判断整体区块为异常，并对其写入损坏标记。由于区块整体被判断为异常并予以舍弃，将使得区块内其他可正常存取的分页或字节亦无法被使用。如此一来，可能使得存储器阵列无法符合良品的标准；即使存储器阵列最后仍被判断为符合标准，亦将因为舍弃其他可正常存取的分页或字节，导致使用率偏低。2.当区块被判断为异常而需写入损坏标记时，可能会因为写入损坏标记的字节， 恰巧为异常的字节，导致该写入动作失效。因此，当控制器首次存取该被判定异常的区块时，因为无法读取损坏标记，反而误判该区块为正常。3.若储存损坏标记的字节发生数据损失(data loss)的问题，使得该损坏标记消失，如此亦会造成控制器因为读取不到损坏标记，而误判了该原先被判定为异常的区块为正常。4.如果制造端在测试时不够严谨或是有误差，以致于区块内有些异常的字节，但仍被误判为可正常存取，因此没有被写入损坏标记。之后控制器也会因为读取不到损坏标记，而使用了被误判为正常的区域。5.字节之间可能会发生串音干扰(cross talk)效应，当损坏标记写入至被判定为异常的区块内时，也连带影响其他字节，若该字节恰巧为其他区块的预先标记位置，则会导致控制器误判该正常的区块为异常。有鉴于此，提供一种可改善至少一种上述缺失的方法，为业界亟待解决的问题。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在于提供一种用于非易失性存储器阵列的标记方法及初始化方法，以改善测试及标记该存储单元(或称数据写入单元)的字节存取状况时，可能产生的误判。本专利技术的另一目的在于提供一种用于非易失性存储器阵列的标记方法及初始化方法，藉由将检测单位缩小至针对各分页进行判断及标记，故不会因为部分字节的损坏而舍弃整个区块，可提升的存储器模组使用率。本专利技术的又一目的在于提供一种用于非易失性存储器阵列的标记方法及初始化方法，其是针对正常的分页，分别写入不同的对应标记。当控制器对其进行初始化，可获得更准确的比对结果，减少误判的状况发生。为实现上述目的，本专利技术揭示了一种用于一非易失性存储器的标记方法，该非易失性存储器阵列包含多个存储单元，各该存储单元包含多个字节，该标记方法包括下列步骤判断该等存储单元的其中之一所具有的该等字节为可正常存取；以及写入一标记至该存储单元。本专利技术还揭示了一种用于一非易失性存储器阵列的初始化方法，该非易失性存储器阵列包含多个存储单元，各该存储单元包含多个字节，其中，各该存储单元具有一标记， 其因应各该存储单元中的该等字节被判断为可正常存取而写入，该初始化方法包括下列步骤读取各该存储单元的该标记；判断该标记符合一预设值；记录该标记符合该预设值的各该存储单元至一识别表中；以及消去该等标记。为使上述目的、技术特征及优点能更明显易懂，下文以较佳的实施例结合附图详细说明。附图说明图1为本专利技术用于非易失性存储器阵列的标记方法的流程图。图2为本专利技术非易失性存储器阵列的示意图。图3为该非易失性存储器阵列与测试装置耦接的示意图。图4为该非易失性存储器阵列标记后的示意图。图5为本专利技术用于非易失性存储器阵列的初始化方法的流程图。图6为该非易失性存储器阵列与一控制器耦接的示意图。图7为本专利技术用于非易失性存储器阵列的初始化方法的另一较佳实施例的方法流程图。附图符号说明1非易失性存储器11 区块111、111A、111B 存储单元2测试装置21查询表3控制器31识别表具体实施例方式请参阅图1所示，为本专利技术的用于一非易失性存储器阵列的标记方法的较佳实施例。其中，该标记方法所应用的易失性存储器阵列包含多个存储单元(或称数据写入单元)，而每一个存储单元包含多个字节(byte)。请结合参阅图2所示，以一非易失性存储器阵列1为例来说明。该非易失性存储器阵列1包含了多个存储单元111，而每一存储单元111包含多个字节。举例而言，本实施例的各存储单元111可为一分页(page)，各分页包含42M个字节，而1 个分页(P1 P128) 可组合定义为一区块(block) 11，而4096个区块(B1-B4tl96)则进一步形成该非易失性存储器阵列1。换言之，该非易失性存储器阵列1总共包含4096xU8 = 524288个存储单元 111(分页)。请结合参阅图3所示，该非易失性存储器阵列1可与一测试装置2耦接，该标记方法的各步骤可由该测试装置2来实现，但是并不局限于此。各步骤将详细地说明如下首先执行步骤S101，对该非易失性存储器阵列1进行测试，并判断该等存储单元 111的其中一个，其所具有的该等字节是否可正常存取。详言之，将一数据先写入至该存储单元111的该等字节中，之后再读取该数据，如果该读出的数据内容没有改变或消失，则该存储单元111的该等字节可判断为可正常存取。换言之，数据无法写入或是数据写入后内容会改变或消失，即可判断该存储单元111的该等字节无法正常存取。若步骤SlOl判断为可正常存取时，则执行步骤S103，写入一标记至该存储单元 111。详言之，将一预设值(或称预设内容)写入至该存储单元111的部分或全部字节中。若步骤SlOl判断为无法正常存取时，或是当步骤S103执行完时，则执行步骤 S105，判断是否仍有其他存储单元111未执行步骤SlOl ；如有，便针对其他存储单元111重复执行步骤SlOl及步骤S103的判断及写入步骤，直至所有存储单元111均已完成；如否， 表示全部的存储单元111都已执行过步骤SlOl及步骤S103，该标记方法即可完成。该测试装置2可依据以上的测试结果，统计可正常使用的存储单元111的数量，进而计算该非易失性存储器阵列1的可使用率，评估其是否能符合标准。此外，亦可产生或输出一查询表21，该查询表21可记录具有标记的该等存储单元111的地址，以及该等标记所相应的预设值等信息。值得一提的是，所本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：林景洋，
申请(专利权)人：复格企业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：