具有垂直拓扑的发光二极管及其制造方法技术

这里公开了一种具有垂直拓扑的发光二极管及其制造方法。具体地说，提供了一种发光装置，该发光装置包括：支撑层；在所述支撑层上的连接金属层，该连接金属层包括：在所述支撑层的第一层；在所述第一层上的扩散阻挡层；和在所述扩散阻挡层上的第二层，其中，所述第一层包括用于附接所述支撑层的键合层；在所述连接金属层上的第一电极，该第一电极包括反射电极；在所述第一电极上的半导体结构，该半导体结构包括：第一类型的层、在所述第一类型的层上的有源层、以及在所述有源层上的第二类型的层；以及在所述半导体结构上的第二电极。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及具有垂直拓扑的发光二极管(LED :light emitting diode)，具体地说，涉及能够获得高发光效率及可靠性并且能够提高大规模生产率的、具有垂直拓扑的LED 及其制造方法。
技术介绍
发光二极管(LED)是将电流转换为光能的公知半导体发光装置，并且从1962年利用GaAsP半导体的红色LED的商用以来，发光二极管就与绿色GaP =N LED 一起一直被用作包括信息通信设备的电子设备显示图像的光源。由这些LED发射的光的波长取决于在制造LED时使用的半导体材料的种类。这是因为发射光的波长取决于半导体材料的代表价带电子和导带电子之间的能量差的带隙 (band-gap)0氮化镓(GaN)具有高的热稳定性和较宽的带隙(范围从0. 8到6. 2eV)，并且因此在开发包括LED的高功率输出电子元件设备的领域中受到了广泛的关注。氮化镓引起广泛关注的一个原因是可以通过结合其它元素(例如铟(In)、铝(Al) 等)利用GaN来制造发射绿、蓝和白光的半导体层。由于具有经由使用GaN来控制发射波长的能力，因此可以遵照特定器件特性将发射波长调节为适于所使用材料的固有特性的期望范围本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种发光装置，该发光装置包括：支撑层；在所述支撑层上的连接金属层，该连接金属层包括：在所述支撑层的第一层；在所述第一层上的扩散阻挡层；和在所述扩散阻挡层上的第二层，其中，所述第一层包括用于附接所述支撑层的键合层；在所述连接金属层上的第一电极，该第一电极包括反射电极；在所述第一电极上的半导体结构，该半导体结构包括：第一类型的层、在所述第一类型的层上的有源层、以及在所述有源层上的第二类型的层；以及在所述半导体结构上的第二电极。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：张峻豪，崔在完，裵德圭，曺贤敬，朴种国，金善正，李政洙，
申请(专利权)人：LG电子株式会社，LG伊诺特有限公司，
类型：发明
国别省市：KR