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这里公开了一种具有垂直拓扑的发光二极管及其制造方法。具体地说，提供了一种发光装置，该发光装置包括：支撑层；在所述支撑层上的连接金属层，该连接金属层包括：在所述支撑层的第一层；在所述第一层上的扩散阻挡层；和在所述扩散阻挡层上的第二层，其中，所...
该专利属于LG电子株式会社;LG伊诺特有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过LG电子株式会社;LG伊诺特有限公司授权不得商用。

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