一种通过表面包覆铂层的键合铜丝连接的半导体封装件制造技术

本实用新型专利技术公开了一种通过表面包覆铂层的键合铜丝连接的半导体封装件，包括有引线框架，在引线框架上设有芯片衬垫，在芯片衬垫上有导电粘胶，在导电粘胶固定有至少一块半导体芯片；在引线框架、半导体芯片、芯片衬垫有密封体密封，在半导体芯片与引线框架之间连接有表面包覆铂层的键合铜丝，该表面包覆铂层的键合铜丝由铜丝和包覆于铜丝外部的铂层组成。本实用新型专利技术目的是克服了现有技术的不足，提供一种表面包复铂层的键合铜丝连接、提高接口结合强度和可靠性的半导体封装件。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

一种通过表面包覆铂层的键合铜丝连接的半导体封装件本技术涉及一种半导体封装件，特别涉及到半导体芯片与引线框架或半导体芯片与半导体芯片之间通过一种表面包覆钼层的键合铜丝连接的半导体封装件。半导体封装中的引线互连，就是用非常细小的金属线把芯片(焊盘)和引线框架 (或者基板)连接起来。而这一细小的金属线，行业标准定名为半导体封装键合丝。传统上，半导体封装的引线互连，是以金线(半导体封装键合金丝)作为主要的引线。随着逐步向绿色封装发展，NiPdAu预镀引线框架和NiPdAu芯片(焊盘)金属层正逐渐获得应用。然而，在NiPdAu表面的键合存在显著不同，需要不同的结合条件来提高接点的强度。本技术是提供了一种表面包复钼层的键合铜丝连接、提高接口结合强度和可靠性的半导体封装件。本技术采用下述技术方案一种通过表面包覆钼层的键合铜丝连接的半导体封装件，包括引线框架，在引线框架上设有芯片衬垫，在芯片衬垫上有导电粘胶，在导电粘胶固定有至少一块半导体芯片； 在引线框架、半导体芯片、芯片衬垫有密封体密封，其特征在于在半导体芯片与引线框架之间连接有表面包覆钼层的键合铜丝，该表面包覆钼层的键合铜丝由铜丝和包覆于铜丝外部的钼层组成。如上所述的一种通过表面包覆钼层的键合铜丝连接的半导体封装件，其特征在于所述半导体芯片为两块或以上，半导体芯片之间通过表面包覆钼层的键合铜丝连接。如上所述的一种通过表面包覆钼层的键合铜丝连接的半导体封装件，其特征在于钼层是通过钼薄带包覆、电化学镀钼或化学镀钼工艺在铜丝的表面上形成的钼层。如上所述的一种通过表面包覆钼层的键合铜丝连接的半导体封装件，其特征在于所述半导体芯片通过导电胶粘接在芯片衬片上。如上所述的一种通过表面包覆钼层的键合铜丝连接的半导体封装件，其特征在于，表面包覆钼层的键合铜丝直径范围为0. 075mm-0. 018mm，钼层厚度为0. 1-0. 4um。本技术的有益效果是由于本技术的半导体芯片与引线框架或半导体芯片与半导体芯片之间通过一种表面包复钼层的键合铜丝连接，提高接口结合强度和可靠性。表面包复钼层的键合铜丝，获得额外的连接能力提升，提高封装性能和实现高密度封装。将表面包复钼层的键合铜丝与NiPdAu结合起来，将会在电阻、成本节约方面有着显著改善。表面包复钼层的键合铜丝，能降低封装成本并获得额外的连接能力提升。附图说明图1是本技术的剖示图。图2是键合铜丝的剖示图。一种通过表面包复钼层的键合铜丝连接的半导体封装件，包括弓I线框架1，在引线框架1上设有芯片衬片3，在芯片衬片3上通过导电胶4粘接有至少一块半导体芯片2。在引线框架1、半导体芯片2、芯片衬片3有密封体6。在引线框架1与半导体芯片2之间连接有表面包复钼层的键合铜丝5。该表面包复钼层的键合铜丝5由铜丝51和包覆于铜丝51 外部的钼层52组成。所述半导体芯片2为两块或以上，半导体芯片2之间通过表面包复钼层的键合铜丝5连接。表面包复钼层是一种附加的方法，只需将钼层应用到键合铜丝上。而铜丝表面包覆钼层可以采用钼薄带包覆、电化学镀钼和化学镀钼等方法实现， 可根据要求控制钼层厚度。包复钼层的铜丝，经拉丝机拉成键合工艺要求的线径。键合铜丝直径范围 0. 075mm-0. 018mm，拉丝后包覆钼层厚度0. 1-0. 4um。这种表面包表面包覆钼层的键合铜丝还必须具有以下特性在烧球时，钼层不影响熔溶金属张力，使球体圆勻。权利要求1.一种通过表面包覆钼层的键合铜丝连接的半导体封装件，包括引线框架(1)，在引线框架⑴上设有芯片衬垫(3)，在芯片衬垫(3)上有导电粘胶G)，在导电粘胶⑷固定有至少一块半导体芯片⑵；在引线框架(1)、半导体芯片O)、芯片衬垫⑶有密封体(6) 密封，其特征在于在半导体芯片与引线框架之间连接有表面包覆钼层的键合铜丝(5)，该表面包覆钼层的键合铜丝(5)由铜丝(51)和包覆于铜丝(51)外部的钼层(52)组成。2.根据权利要求1所述的一种通过表面包覆钼层的键合铜丝连接的半导体封装件，其特征在于所述半导体芯片(2)为两块或以上，半导体芯片(2)之间通过表面包覆钼层的键合铜丝(5)连接。3.根据权利要求1或2所述的一种通过表面包覆钼层的键合铜丝连接的半导体封装件，其特征在于钼层(52)是通过钼薄带包覆、电化学镀钼或化学镀钼工艺在铜丝(51)的表面上形成的钼层。4.根据权利要求1或2所述的一种通过表面包覆钼层的键合铜丝连接的半导体封装件，其特征在于所述半导体芯片(2)通过导电胶(4)粘接在芯片衬片(3)上。5.根据权利要求1或2所述的一种通过表面包覆钼层的键合铜丝连接的半导体封装件，其特征在于，表面包覆钼层的键合铜丝(5)直径范围为0.075mm-0.018mm，钼层(52)厚度为 0. 1-0. 4um。专利摘要本技术公开了一种通过表面包覆铂层的键合铜丝连接的半导体封装件，包括有引线框架，在引线框架上设有芯片衬垫，在芯片衬垫上有导电粘胶，在导电粘胶固定有至少一块半导体芯片；在引线框架、半导体芯片、芯片衬垫有密封体密封，在半导体芯片与引线框架之间连接有表面包覆铂层的键合铜丝，该表面包覆铂层的键合铜丝由铜丝和包覆于铜丝外部的铂层组成。本技术目的是克服了现有技术的不足，提供一种表面包复铂层的键合铜丝连接、提高接口结合强度和可靠性的半导体封装件。文档编号H01L23/49GK202159661SQ20112025893公开日2012年3月7日 申请日期2011年7月21日 优先权日2011年7月21日专利技术者袁毅 申请人:袁毅本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种通过表面包覆铂层的键合铜丝连接的半导体封装件，包括引线框架（１），在引线框架（１）上设有芯片衬垫（３），在芯片衬垫（３）上有导电粘胶（４），在导电粘胶（４）固定有至少一块半导体芯片（２）；在引线框架（１）、半导体芯片（２）、芯片衬垫（３）有密封体（６）密封，其特征在于在半导体芯片与引线框架之间连接有表面包覆铂层的键合铜丝（５），该表面包覆铂层的键合铜丝（５）由铜丝（５１）和包覆于铜丝（５１）外部的铂层（５２）组成。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：袁毅，
申请(专利权)人：袁毅，
类型：实用新型
国别省市：44