晶圆加工用胶带制造技术

本发明专利技术提供一种晶圆加工用胶带。本发明专利技术的课题是在将剥离膜从晶圆加工用胶带剥离时，抑制接合剂层从粘接带剥离。作为解决手段，在该晶圆加工用胶带中，剥离膜(2)沿长度方向被卷绕成卷筒状，在平面视中，接合剂层(3)具有主要部(3a)和与主要部(3a)连接的至少一个突出部(3b)，突出部(3b)中的至少一个的突出长度d为4mm以上，突出部(3b)的末端角度θ为80°以上且不足120°，突出部(3b)的末端的曲率半径r不足4mm，突出部(3b)的末端与粘接带(4)的外缘之间的距离l为5mm以上，突出部(3b)形成于接合剂层(3)中的剥离膜(2)的剥下方向的上游侧。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体晶圆用的晶圆加工用胶带。
技术介绍
开发出了这样的晶圆加工用胶带该晶圆加工用胶带兼具在将半导体晶圆切割成一片片芯片时用于固定半导体晶圆的切割带和用于将切割后的芯片接合到基板等的晶片接合膜这两者的功能。晶圆加工用胶带具有剥离膜、作为切割带发挥作用的粘接带、作为晶片接合膜发挥作用的接合剂层。近年来，要求用于便携设备的存储器等电子设备进一步薄型化和高容量化。因此， 对于将厚度50 μ m以下的半导体芯片多级层叠的安装技术的要求日益增高。为了应对这样的要求，开发且公开了如下所述的晶圆加工用胶带该晶圆加工用胶带能实现薄膜化且具有如下所述的接合剂层，该接合剂层具有可嵌入半导体芯片的电路表面的凹凸这样的柔软性(例如参照专利文献1和2)。如果不能嵌入电路表面的凹凸，则在半导体芯片与接合剂层之间产生空隙，从而接合强度显著降低。通常，将厚度50μπι以下的半导体芯片多级层叠的工艺所要求的接合剂层的厚度为25μπι以下，考虑到充分地嵌入半导体芯片的电路表面的凹凸，优选这样的接合剂层在60°C的热固化前的储能模量小于2X 10^。在粘接带上层叠了半导体芯片用的接合剂层的晶圆加工用胶带、即所谓的切割/ 晶片接合片，可在将半导体晶圆分割为芯片的工序和将分割后的半导体芯片接合到基板等的工序这两者中使用，对于改善半导体安装工序的操作性非常有用。尤其是，如下所述的切割/晶片接合片在操作性方面显著优越其接合剂层与半导体晶圆相对应地被预切割成圆形的标签形状，粘接带与环框(其为了提高半导体晶圆加工时的易操作性而被安装在粘接带上)相对应地被预切割成比接合剂层大的圆形的标签形状。如图9所示，这样的切割/ 晶片接合片在长条的剥离膜201上以规定的间隔设置有多个接合剂层202，粘接带203被层叠构成，使得以同心圆状覆盖各接合剂层202，并且外缘部与剥离膜201接触(例如，参照专利文献3和4)。专利文献1日本特开2000_巧4；356号公报专利文献2日本特开2003-60127号公报专利文献3日本特开2007-2173号公报专利文献4日本特开2007-288170号公报近年来，为了将因薄膜化而变脆的半导体芯片连同接合剂层一起进行拾取而不使其破损，要求切割/晶片接合片的粘接带具有更低的粘接力。但是，在将薄且柔软性高的接合剂层层叠在粘接力低的粘接带上而形成切割/晶片接合片(晶圆加工用胶带)的情况下，有时会发生下述粘合不良的问题在将这样的切割 /晶片接合片从剥离膜剥离而粘贴到半导体晶圆的时候，接合剂层被剥离膜拉扯而从粘接带卷起，从而不能与半导体晶圆粘合。这种粘合不良大多从下述位置开始产生，即将粘接带和接合剂层的层叠体粘贴到半导体晶圆时的、在最接近粘合开始点的接合剂层的外周部，即一般在标签的圆周部中首先接近半导体晶圆的一端(参照图10)。关于这种粘合不良的原因是由于在接合剂层的冲切加工时，为了将刀具按压在剥离膜上而切割涂成剥离膜状的接合剂层，接合剂层在外缘部与剥离膜粘连，在粘贴时，接合膜的末端在粘连部分被剥离膜拉扯，由此产生与粘接带剥离的起点。而且，还可以列举由于如下两种情况，使得一旦在接合剂层与粘接带之间产生剥离的起点时，该剥离很容易扩大， 所述两种情况为为了降低该粘接带的粘接力而使剥离膜-接合剂层之间的剥离力与接合剂层-粘接带之间的剥离力的差减小、以及由于接合剂层薄且柔软而容易追随剥离膜。
技术实现思路
因此，本专利技术的主要目的在于提供一种晶圆加工用胶带，在将剥离膜从晶圆加工用胶带剥离时，该晶圆加工用胶带能够抑制接合剂层从粘接带剥离。为了解决上述课题，根据本专利技术，提供一种晶圆加工用胶带，其具有剥离膜；设置在所述剥离膜上的接合剂层；粘接带，其被设置成从上方覆盖所述接合剂层，外缘在所述接合剂层的外侧与所述剥离膜接触，该晶圆加工用胶带的特征在于，所述剥离膜沿长度方向被卷绕成卷筒状，在平面视中，所述接合剂层具有主要部、和与所述主要部连接的至少一个突出部，所述突出部中的至少一个的突出长度为4mm以上，所述突出部的末端角度为80°以上且不足120°，所述突出部的末端的曲率半径不足4mm，所述突出部的末端与所述粘接带的外缘之间的距离为5mm以上，所述突出部形成于所述接合剂层中的所述剥离膜的剥下方向的上游侧。根据本专利技术的晶圆加工用胶带，在平面视中，接合剂层具有主要部、和与所述主要部连接的突出部，所述突出部的面积比所述主要部的面积小，所述突出部的突出长度为4mm 以上，所述突出部的末端角度θ为80°以上且不足120°，所述突出部的末端的曲率半径不足4mm。由此，即使剥离膜与接合剂层粘连，由于成为接合剂层与粘接带之间的剥离起点的末端部被最小化，因此，难以产生剥离的起点，在将剥离膜从晶圆加工用胶带剥离时，可以抑制接合剂层从粘接带剥离。而且，如果接合剂层的突出部的最末端与剥离膜之间分离， 则随后其余的接合剂层也随之与剥离膜分离，所以即使在突出部的最末端之外的部位，与粘接带之间也不会发生剥离。附图说明图1是示出晶圆加工用胶带的概略结构的图。图2是示出接合剂层和粘接带的概略形状的平面图。图3是示出剥离膜、接合剂和粘接带的概略层叠结构的纵剖面图。图4是示出在晶圆和环框上粘合晶圆加工用胶带的概略状态的纵剖面图。图5是用于概略地说明在晶圆和环框上粘合晶圆加工用胶带的装置/方法的图。图6是示出图2的变形例(1)的平面图。图7是示出图2的变形例O)的平面图。图8是示出图2的变形例(3)的平面图。图9是从接合剂层观察的示出现有技术和比较例1 6的接合剂层的形状的平面图。图10是示出在现有技术中接合剂层从粘接带剥落的照片。标号说明1晶圆加工用胶带；2剥离膜；2a正面；3接合剂层；3a主要部；3b (北1、北2)突出部；3c末端部；3d突出部；!Be末端部；4粘接带；如标签部；4b周边部；10卷芯；100卷绕辊； 101剥离用楔子；102吸附载台；103粘合辊；201剥离膜；202接合剂层；203粘接带；A剥离膜的拉出方向；B剥离膜的剥下方向具体实施例方式下面，参照附图说明本专利技术的优选实施方式。图1是示出晶圆加工用胶带的概要的图。如图1所示，晶圆加工用胶带1在作为芯材的卷芯10上被卷绕成卷筒状。晶圆加工用胶带1具有剥离膜2、接合剂层3和粘接带4。另外，层叠接合剂层3和粘接带4而构成切割晶片接合胶带(Dicing Die Bonding Tape)ο剥离膜⑵剥离膜2形成为矩形的带状，且形成为一个方向足够长。剥离膜2在制造时和使用时起到作为承载膜的作用。作为剥离膜2，可以使用聚苯二甲酸乙二醇酯合成纤维(PET)系、聚乙烯系、其它的进行了防粘处理的膜等公知的膜。剥离膜2的厚度可以适当地设定而并没有特别的限定，但是优选为25 50μπι。接合剂层(3)接合剂层3形成在剥离膜2的正面2a(图1的纸面的正面)上。“剥离膜2的正面加”是指形成有接合剂层3和粘接带4的面，是在图1中所示出的面。在半导体晶圆W(参照图4)被粘合且切割后，拾取芯片，此时，接合剂层3附着在芯片的背面，被用作将该芯片固定在基板或导线框时的接合剂。接合剂层3的厚度被形成为25 μ m以下。接合剂层3由60°C的热固化前的储能模量小于2 X IO6Pa的材料形成。“储能模量” 是在分析兼具弹性和粘性的高分子的力学特本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种晶圆加工用胶带，其具有：剥离膜；设置在所述剥离膜上的接合剂层；粘接带，其被设置成：从上方覆盖所述接合剂层，外缘在所述接合剂层的外侧与所述剥离膜接触，该晶圆加工用胶带的特征在于，所述剥离膜沿长度方向被卷绕成卷筒状，在平面视中，所述接合剂层具有主要部、和与所述主要部连接的至少一个突出部，所述突出部中的至少一个的突出长度为４ｍｍ以上，所述突出部的末端角度为８０°以上且不足１２０°，所述突出部的末端的曲率半径不足４ｍｍ，所述突出部的末端与所述粘接带的外缘之间的距离为５ｍｍ以上，所述突出部形成于所述接合剂层中的所述剥离膜的剥下方向的上游侧。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：三原尚明，建部一贵，矢吹朗，井之前千佳子，
申请(专利权)人：古河电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP