【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路制造工艺领域的在线缺陷改善方法，且特别涉及。
技术介绍
随着集成电路工艺的发展和成本控制的考量，晶圆规格逐渐向大尺寸发展，12寸已逐渐成为集成电路制造的主流，未来甚至会发展到18寸及18寸以上。晶圆尺寸的扩大相应的引起晶圆边缘面积的扩大，边缘的制造工艺更加难以控制，从而造成许多晶圆边缘剥落缺陷，严重影响良率提升甚至造成报废。晶圆边缘的缺陷控制一向是集成电路缺陷控制工作中的一个难点。传统的晶圆边缘缺陷控制方法是通过清洗晶圆边缘的方式把可能的剥落源头去除，以防止此类缺陷掉入晶圆内部影响良率。但是，此类方法首先需要找到剥落源头及其对应的工艺步骤，然后对该步骤后的晶圆边缘层次进行分析，决定清洗的厚度和相应的清洗程式，过程周期耗时太长而且如果清洗不到位或清洗过度会造成更多的剥落缺陷，甚至造成严重的金属污染。
技术实现思路
本专利技术提出，通过在晶圆边缘进行化学气相沉积的方法，在晶圆边缘长上一层氧化硅的保护膜，把晶圆边缘脆弱易剥落的部分保护起来并固化在晶圆上，阻止其掉落在晶圆里面对产品良率造成影响。为了达到上述目的，本专利技术提出，包括下列步骤提供一沉积反...
【技术保护点】
１．一种控制晶圆边缘缺陷的方法，其特征在于，包括下列步骤：提供一沉积反应腔，所述反应腔包括相对而设的上极板和下极板；将晶圆放置于所述下极板上；提供一保护罩，设置于所述晶圆和所述上极板之间，其中，所述保护罩的面积小于所述晶圆，从而露出所述晶圆的边缘部分；在所述露出的晶圆边缘部分沉积一层保护膜。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：龙吟，陈宏璘，倪棋梁，郭明升，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：31
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