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一种控制晶圆边缘缺陷的方法技术
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文档序号:7180280
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本发明提出一种控制晶圆边缘缺陷的方法,包括下列步骤:提供一沉积反应腔,所述反应腔包括相对而设的上极板和下极板;将晶圆放置于所述下极板上;提供一保护罩,设置于所述晶圆和所述上极板之间,其中,所述保护罩的面积小于所述晶圆,从而露出所述晶圆的边缘...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。
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