【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造领域，特别涉及一种MEMS压阻式拉压力芯片及传感器的制作方法。
技术介绍
目前，普遍采用压阻式拉压力传感器测量水平方向所受拉压力。压阻式拉压力传感器组成结构包括两大部分弹性敏感元件和电阻压变片。其中，弹性敏感元件是敏感元件，可根据被测参数来设计或选择结构和形式；电阻压变片的作用是将水平方向所受的拉压力转换成电阻变化的转换元件；电阻压变片是压阻式拉压力传感器的核心元件。弹性敏感元件在水平方向拉压力的作用下表面产生应变。导致粘贴在弹性敏感元件表面的电阻压变片的电阻值发生变化。从而通过测量电阻压变片的电阻值变化，确定被测量参数的大小。 电阻压变片按照材料类型可分为金属丝、箔金属压变片和半导体压变片等。电阻压变片作为电阻式压变片拉压力传感器的最关键组成部分。现有技术中多用箔金属压变片，但由于箔金属压变片的加工工艺复杂，甚至需要手工处理，所以使用箔金属压变片的压阻式拉压力传感器存在生产难度大，成本较高，无法实现低成本大批量生产。随着半导体技术的发展，微电子机械系统(MEMS)压力传感器应运而生，主要分为MEMS压阻式压力传感器和MEMS 电容式压力...
【技术保护点】
１．一种ＭＥＭＳ压阻式拉压力芯片的制作方法，提供一具有Ｎ型硅衬底的晶片，其特征在于，该方法包括：在晶片的晶片器件面和背面生长氧化层；晶片器件面的所述氧化层下方的硅衬底中离子注入形成压敏电阻；所述压敏电阻周围扩散形成ｐ型区；腐蚀晶片背面的所述氧化层和硅衬底，形成感应膜；刻蚀位于所述ｐ型区上方的晶片器件面的氧化层形成引线孔后，在引线孔中溅射金属制成导线，所述导线电连接所述压敏电阻形成惠斯顿电桥；划片分离出ＭＥＭＳ压阻式拉压力芯片。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：沈唯真，张威，
申请(专利权)人：浙江双友物流器械股份有限公司，
类型：发明
国别省市：33
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