本发明专利技术公开了一种高功率氮化铝陶瓷基板150瓦负载片，其包括一9.55*6.35*1.0mm的氮化铝基板，所述氮化铝基板的背面印刷有背导层，所述氮化铝基板的正面印刷有电阻及导线，所述导线连接所述电阻形成负载电路，所述负载电路的接地端与所述背导层电连接，所述电阻上印刷有玻璃保护膜。该结构的高功率氮化铝陶瓷基板150瓦负载片具有良好的VSWR性能，在9.55*6.35*1.0mm的氮化铝陶瓷基板上的功率达到150W，同时使其特性达到了3G，使该尺寸的氮化铝陶瓷基板使用范围更广，也更加能够与设备进行良好的匹配。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉一种氮化铝陶瓷基板负载片，特别涉及一种高功率氮化铝陶瓷基板150 瓦负载片。
技术介绍
氮化铝陶瓷基板负载片主要用于在通信基站中吸收通信部件中反向输入的功率， 如果不能承受要求的功率，负载就会烧坏，可能导致整个设备烧坏。目前国内的氮化铝陶瓷基板负载片都是应用在民用通信领域，民用通信频率要求为3G以及3G以内。对于负载片来说，能够达到应用的要求，一是需要能够满足功率的要求，一是产品的特性也就是VSWR(驻波比)要越小越好，目前市场基础需要满足1.25 1以内.随着频段的增高，产品的VSWR 也就会越高。如果VSWR越小，与设备进行匹配就越容易，所以达到规定的功率的同时，更小的VSWR是市场的趋势和需求。同时因为设计的多样性要求，同一种功率的的产品需要有多种规格，这样才能满足客户的各种设计要求。
技术实现思路
针对上述现有技术的不足，本专利技术要解决的技术问题是提供一种能够承受150W 的功率，驻波需要能满足目前3G应用要求，同时在2G频段以内达到1.10 1以内。为解决上述技术问题，本专利技术采用如下技术方案一种高功率氮化铝陶瓷基板150瓦负载片，其包括一 9. 55*6. 35*1. Omm的氮化铝基板，所述氮化铝基板的背面印刷有背导层，所述氮化铝基板的正面印刷有电阻及导线，所述导线连接所述电阻形成负载电路，所述负载电路的接地端与所述背导层电连接，所述电阻上印刷有玻璃保护膜。优选的，所述导线及玻璃保护膜的上表面还印刷有一层黑色保护膜。优选的，所述背导层及导线由导电银浆印刷而成，所述电阻由电阻浆料印刷而成。上述技术方案具有如下有益效果该结构的高功率氮化铝陶瓷基板150瓦负载片具有良好的VSWR性能，在9. 55*6. 35*1. Omm的氮化铝陶瓷基板上的功率达到150W，同时使其特性驻波能满足目前3G应用要求，同时在2G频段以内达到1.10 1以内，使该尺寸的氮化铝陶瓷基板使用范围更广，也更加能够与设备进行良好的匹配。采用竖向设计，在结构上与横向设计形成互补，满足了客户不同的设计方案要求。上述说明仅是本专利技术技术方案的概述，为了能够更清楚了解本专利技术的技术手段， 并可依照说明书的内容予以实施，以下以本专利技术的较佳实施例并配合附图详细说明如后。 本专利技术的具体实施方式由以下实施例及其附图详细给出。附图说明图1为本专利技术实施例的结构示意图。具体实施例方式下面结合附图对本专利技术的优选实施例进行详细介绍。如图1所示，该高功率氮化铝陶瓷基板150瓦负载片包括一 9. 55*6. 35*1. Omm的氮化铝基板1，氮化铝基板1的背面印刷有背导层，氮化铝基板1的正面印刷有电阻3及导线2，导线2连接电阻3形成负载电路，负载电路的接地端与背导层通过银浆电连接，从而使负载电路接地导通。背导层及导线2由导电银浆印刷而成，电阻3由电阻浆料印刷而成。 电阻3上印刷有玻璃保护膜4。导线2及玻璃保护膜4的上表面还印刷有一层黑色保护膜 5。该该结构的高功率氮化铝陶瓷基板150瓦负载片具有良好的VSWR性能，在 9. 55*6. 35*1. Omm的氮化铝陶瓷基板上的功率达到150W，同时使其特性驻波能满足目前3G 应用要求，同时在2G频段以内达到1.10 1以内，使该尺寸的氮化铝陶瓷基板使用范围更广，也更加能够与设备进行良好的匹配。据检测该氮化铝陶瓷基板负载片能承受的功率非常稳定，能够完全达到通信期间吸收所需要功率的要求，采用竖向设计，在结构上与横向设计形成互补，满足了客户不同的设计方案要求。以上对本专利技术实施例所提供的一种高功率氮化铝陶瓷基板150瓦负载片进行了详细介绍，对于本领域的一般技术人员，依据本专利技术实施例的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本专利技术的限制，凡依本专利技术设计思想所做的任何改变都在本专利技术的保护范围之内。权利要求1.一种高功率氮化铝陶瓷基板150瓦负载片，其特征在于其包括一 9. 55*6. 35*1. Omm 的氮化铝基板，所述氮化铝基板的背面印刷有背导层，所述氮化铝基板的正面印刷有电阻及导线，所述导线连接所述电阻形成负载电路，所述负载电路的接地端与所述背导层电连接，所述电阻上印刷有玻璃保护膜。2.根据权利要求1所述的高功率氮化铝陶瓷基板150瓦负载片，其特征在于所述导线及玻璃保护膜的上表面还印刷有一层黑色保护膜。3.根据权利要求1所述的高功率氮化铝陶瓷基板150瓦负载片，其特征在于所述背导层及导线由导电银浆印刷而成，所述电阻由电阻浆料印刷而成。全文摘要本专利技术公开了一种高功率氮化铝陶瓷基板150瓦负载片，其包括一9.55*6.35*1.0mm的氮化铝基板，所述氮化铝基板的背面印刷有背导层，所述氮化铝基板的正面印刷有电阻及导线，所述导线连接所述电阻形成负载电路，所述负载电路的接地端与所述背导层电连接，所述电阻上印刷有玻璃保护膜。该结构的高功率氮化铝陶瓷基板150瓦负载片具有良好的VSWR性能，在9.55*6.35*1.0mm的氮化铝陶瓷基板上的功率达到150W，同时使其特性达到了3G，使该尺寸的氮化铝陶瓷基板使用范围更广，也更加能够与设备进行良好的匹配。文档编号H01P1/22GK102361128SQ20111026489公开日2012年2月22日 申请日期2011年9月8日 优先权日2011年9月8日专利技术者郝敏 申请人:苏州市新诚氏电子有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
１．一种高功率氮化铝陶瓷基板１５０瓦负载片，其特征在于：其包括一９．５５＊６．３５＊１．０ｍｍ的氮化铝基板，所述氮化铝基板的背面印刷有背导层，所述氮化铝基板的正面印刷有电阻及导线，所述导线连接所述电阻形成负载电路，所述负载电路的接地端与所述背导层电连接，所述电阻上印刷有玻璃保护膜。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：郝敏，
申请(专利权)人：苏州市新诚氏电子有限公司，
类型：发明
国别省市：32
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