【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及光半导体装置用引线框、其制造方法及光半导体装置。
技术介绍
光半导体装置用引线框被广泛用作各种显示用光源、照明用光源的构成部件，其中，在光源中使用了 LED (发光二极管，Light Emitting Diode)元件等作为光半导体元件的发光元件。对于该光半导体装置而言，例如在基板上配置引线框、并在该引线框上装载发光元件，然后用树脂对发光元件及其周围进行密封，以防止因热、湿气、氧化等外部因素造成发光元件或其外围部位的劣化。但是，在使用LED元件作为照明用光源时，要求引线框的反射材料在可见光波长 GOO 700nm)的全部区域中具有高反射率(例如反射率为80%以上)。此外，近年来，作为使用紫外线的测定、分析仪器的光源也使用了 LED元件，要求其反射材料在300nm左右的波长下具有高反射率。因此，对于将LED元件作为照明用光源使用的光半导体装置而言，反射材料的反射特性成为影响制品性能的非常重要的因素。对应于这样的要求，为了提高光反射率(以下称为反射率)，大多在相当于LED元件正下方的引线框上形成由银或银合金构成的层(被膜)。例如已知有如下的技术在反射...
【技术保护点】
１．一种光半导体装置用引线框，其在导电性基体上形成有由银或银合金形成的层，其中，具有由耐腐蚀性优异的金属或其合金形成的表层作为最外层；在该表层的最表面部，耐腐蚀性优异的金属成分浓度为５０质量％以上；所述表层的包覆厚度为０．００１～０．２５μｍ；并且，在所述表层与所述由银或银合金形成的层之间，形成有作为所述表层的主成分的金属材料与银的固溶体层。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：小林良聪，
申请(专利权)人：古河电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP
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