具有改进的电介质线路到过孔的抗电迁移性界面层的互连结构及其制造方法技术

提供具有改进的抗电迁移性的互连结构，这些互连结构包括在过孔开口的底部处存在的金属界面层（或者金属合金层）（６６）。过孔开口位于在第一电介质材料（５２）上面的第二电介质材料（５２’）内，该第一电介质材料包括嵌入于其中的第一导电材料（５６）。在过孔开口的底部处存在的金属界面层（或者金属合金层）位于嵌入于第一电介质内的下层第一导电材料与嵌入于第二电介质材料内的第二导电材料之间。还提供制造抗电迁移性改进的互连结构的方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种半导体互连结构及其制造方法。更具体而言，本专利技术涉及一种具有改进的抗电迁移(EM)性的半导体互连结构和一种制造这样的互连结构的方法。
技术介绍
一般而言，半导体器件包括多个电路，这些电路形成半导体衬底上制造的集成电路(IC)。复杂的信号路径网络将通常被路由成连接分布于衬底的表面上的电路元件。这些信号在器件内的高效路由需要形成多级(即多层)方案例如单大马士革布线结构或者双大马士革布线结构。布线结构通常但未必总是包括铜(Cu)，因为基于Cu的互连布线结构与基于铝(Al)的互连结构相比在复杂半导体芯片上的大量晶体管之间提供速度更高的信号传送。在典型互连结构内，金属过孔与半导体衬底垂直地伸展而金属线路与半导体衬底平行地伸展。在如今的互连结构中通过在介电常数少于4.0的电介质材料中嵌入金属线路和金属过孔(例如导电特征)来实现进一步提高信号速度和减少相邻金属线路中的信号 (称为“串扰”)。在半导体互连结构中，电迁移(EM)已经被视为一种金属失效机制。电迁移是由于在导电电子与扩散金属原子之间的动量转移所致的离子在导体中的逐渐移动所引起的材料的输运。该效应在其中使用高直流密度的本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种互连结构，包括：第一电介质材料，具有嵌入于其中的第一导电材料；第二电介质材料，位于所述第一电介质材料上面，所述第二电介质材料包括至少一个导电填充开口，所述至少一个导电填充开口包括位于所述第一导电材料上方的组合过孔和线路；以及界面层，括金属界面层和金属合金界面层中的至少一个，并且位于所述线路的所述底部水平部分内的所述界面层是金属界面层。仅位于所述过孔的底部部分和所述线路的底部水平部分处，其中在所述过孔的所述底部部分处存在的所述界面层将嵌入于所述第一电介质材料内的所述第一导电材料与所述第二电介质材料内的所述至少一个导电填充开口隔开，位于所述过孔的所述底部部分内的所述界面层包

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：V·巴斯克，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：发明
国别省市：US