触摸屏及其制造方法技术

根据本发明专利技术的实施例的触摸屏包括：ＩＴＯ（氧化铟锡）膜，沉积在挠性塑料膜的上表面上；第一金属层，沉积在所述氧化铟锡膜上；以及第二金属层，镀在所述第一金属层上。本发明专利技术的实施例可以提供一种可以保证其耐用性并具有极好的灵敏度的触摸屏及其制造方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种。
技术介绍
触摸屏是可以检测手指或触摸笔所靠近或触摸的位置的设备。所述触摸屏安装在视频显示设备的屏幕上从而能够容易地输入信息。触摸屏利用透明电极检测手指或笔的触摸输入。透明电极可以通过在诸如氧化铟锡(indium tin oxide, IT0)的透明导电氧化膜上布置金属层来形成。然而，当金属层直接形成在ITO膜上时，金属层的粘附性降低，以致ITO表面的耐用性降低而电阻增大，从而使触摸屏的灵敏度降低。
技术实现思路
本专利技术的一个实施例意在提供一种，所述触摸屏具有极好的灵敏度并保证耐用性。在本专利技术的一个实施例中，提供一种触摸屏，所述触摸屏包括氧化铟锡(ITO) 膜，沉积在挠性塑料膜的上表面上；第一金属层，沉积在所述氧化铟锡(ITO)膜上；以及第二金属层，镀在所述第一金属层上。在本专利技术的另一个实施例中，提供一种触摸屏的制造方法，所述方法包括对ITO 膜进行热处理以防止其收缩；进行除去ITO膜表面上的杂质的预处理；在经预处理后的ITO膜上沉积第一金属层；在第一金属层上沉积第二金属层；以及在第二金属层上镀第三金属层。有益效果根据本专利技术的实施例，提供一种具有极好的灵敏度并能保证耐用性的。附图说明从结合附图对优选实施例进行的以下描述中，本专利技术的上述和其它目的和特征将变得明显。图1是根据本专利技术的第一实施例的触摸屏的剖视图；图2是根据本专利技术的第二实施例的触摸屏的剖视图；以及图3是根据本专利技术的实施例的触摸屏的制造方法的流程图。具体实施例方式在下文中，将参照附图详细描述根据本专利技术的实施例的。然而，如果确定对相关的公知功能或组件的详细描述会使本专利技术的技术主题不清楚，则将省略这些详细描述。图1是根据本专利技术的第一实施例的触摸屏的剖视图。如图1所示，根据本专利技术第一实施例的触摸屏包括诸如氧化铟锡等的透明导电膜20，所述透明导电膜20沉积在挠性塑料膜10的上表面上；以及金属层30和金属镀层40， 沉积在透明导电膜20上。挠性塑料膜10 可以采用由 PES (polyethersulfone，聚醚砜)、PC (Polycarbonate, 聚碳酸酯)、PE (Polyethylene，聚乙烯)、PI(Polyimide，聚酰亚胺)或压克力(acryl)等制成的膜。本专利技术的实施例示出了采用聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜10的情形。在此情形中，PET膜10在100至150°C的范围内具有收缩特性。当使用其上沉积有透明导电膜20的PET膜10来制造触摸屏时，在进行上板和下板的结合过程中的热处理时， 存在因PET膜10的收缩而导致的对齐不准的问题。因此，通过进行退火过程(在约150°C 对PET膜10进行热处理90分钟)以预先使所述膜收缩，可以防止在金属层沉积过程和后处理过程中可能产生的收缩。ITO膜20顺序地设置有用作电极的金属镀层40和用于提高金属镀层40的粘附性的金属沉积层30。在ITO膜20上形成金属沉积层30和金属镀层40之前，优选的是通过利用等离子体或离子束进行除去表面上的杂质的预处理过程。金属沉积层30包括用于提高ITO膜20与金属层之间的粘附性的缓冲层和用于镀上金属的种子层(seed layer)。缓冲层提高ITO膜20与金属层之间的粘附性。因此，可以通过沉积诸如Ni、Cr、Ni-Cr、Ti、Sn, Mo等材料来形成缓冲层。金属镀层40可以通过利用电镀方法等由与金属沉积层30的种子层相同的材料制成，并且可以由导电性好的材料制成。金属镀层40可以用作ITO膜20的电极。由于金属沉积层30和金属镀层40 (触摸屏中具有上述构造的金属层)直接影响触摸屏的灵敏度，因此可以控制金属沉积层30和金属镀层40的厚度，从而可以控制电阻值使其被设置为0. 1 Ω /方块或更小。图2是根据本专利技术的第二实施例的触摸屏的剖视图。如图2所示，根据本专利技术的第二实施例的触摸屏包括缓冲层33，通过在沉积在 PET膜10上的ITO膜20上沉积Ni-Cr而形成；种子层35，通过形成Cu而形成；以及镀层 45，通过镀上Cu而形成。直接沉积在ITO膜20上的金属沉积层30包括缓冲层33和用于镀膜的种子层35， 以便提高ITO膜20和金属层之间的粘附性。为了将电阻值控制为0. 1Ω/方块或更小，可以通过利用真空沉积技术沉积70Α 厚的Ni-Cr来形成缓冲层33。可以通过利用真空沉积技术沉积900Α厚的Cu来形成种子层35。此外，可以通过在金属镀层上沉积8000Α厚的Cu来形成触摸屏的电极。在此情形中，当沉积Ni-Cr缓冲层33和Cu种子层35时，利用诸如等离子体处理、 离子束辐射等方 法对ITO膜20的表面进行预处理，然后沉积金属层，从而可以防止ITO膜 20的表面受损，并且可以提高金属层的粘附性和导电性。图3是根据本专利技术的实施例的触摸屏的制造方法的流程图。如图3所示，当根据本专利技术的实施例制造触摸屏时，对其上沉积有ITO膜20的PET 膜10进行热处理(SllO)。利用等离子体或离子束对ITO膜20的表面进行预处理(S120)，从而提高金属层的粘附性。在此情形中，用于产生离子束的反应气体可以选自02、O3> N2, N2O, NO2和CO2，还可以选自诸如Ar、Kr、Xe和Ne等的惰性气体。此外，可以单独应用或以混合状态应用所述反应气体或惰性气体。另外，所使用的离子束的辐射量可以在lX1015/cm2 lX1018/cm2的范围内。在经预处理后的ITO膜20上沉积用作缓冲层的金属沉积层，即Ni-Cr缓冲层 33(S130)。可以通过利用诸如 RF (radio frequency，射频)溅射、DC (direct current，直流)溅射、CVD (chemical vapor exposition，化学气相沉积)技术等真空沉积技术进行沉积来形成Ni-Cr缓冲层33。在Ni-Cr缓冲层33上沉积用作种子层的金属沉积层，即Cu种子层35 (S140)。可以通过利用诸如RF溅射、DC溅射或CVD技术等真空沉积技术进行沉积来形成Cu种子层35。 当形成Cu种子层35时，镀上用作电极的Cu镀层45。可以通过电镀方法等形成 Cu镀层45。当使用Cu镀层45形成触摸屏的电极时，进行防蚀涂覆，从而防止金属Cu被氧化 (S160)。防蚀涂覆可以经过将Cu镀层45浸入防蚀剂的涂覆过程。虽然结合示例性实施例描述了本专利技术，但是应该理解，这些描述不意在使本专利技术受限于这些示例性实施例。显然，在不脱离本专利技术的精神或范围的情况下，本领域技术人员可以对本专利技术进行各种改进和变型。因此，本专利技术意在涵盖本专利技术的改进和变型，只要这些改进和变型落在所附权利要求及其等同物的范围内。工业应用性本专利技术可以提供一种具有极好的灵敏度并能保证耐用性的触摸屏。权利要求1.一种触摸屏，其特征在于氧化铟锡(ITO)膜，沉积在挠性塑料膜的上表面上； 第一金属层，沉积在所述氧化铟锡膜上； 第二金属层，镀在所述第一金属层上；以及第三金属层，镀在所述第二金属层上。2.如权利要求1所述的触摸屏，其特征在于，所述挠性塑料膜包括PET、PES、PC、PE、PI 和压克力中的至少任意一种。3.如权利要求1所述的触摸屏，其特征在于，所述第一金属层包括由Ni、Cr、Ni-Cr、Ti、 Sn和Mo中的至少一任意本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种触摸屏，其特征在于：氧化铟锡（ＩＴＯ）膜，沉积在挠性塑料膜的上表面上；第一金属层，沉积在所述氧化铟锡膜上；第二金属层，镀在所述第一金属层上；以及第三金属层，镀在所述第二金属层上。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：金钾泳，
申请(专利权)人：LG伊诺特有限公司，
类型：发明
国别省市：KR