一种触摸屏制备方法技术

本发明专利技术提供了一种触摸屏的制备方法，包括如下步骤：1）提供基片，并在基片的正反面镀导电层，该基片包括显示区和边框区；2）在基片的正反面导电层上覆盖光阻干膜；3）对基片正反面的光阻干膜有选择的曝光，形成曝光部分和非曝光部分，所述曝光部分或非曝光部分形成基片显示区域的导电层图案,所述曝光能量控制在20mJ至200mJ之间；4）通过显影、蚀刻工艺退去光阻干膜制得触摸屏；所述步骤2）到步骤4）在黄光条件下进行。本发明专利技术通过对曝光能量的控制，使得基片双面的曝光图案能够形成明显色差，不会相互干扰，既方便了人工操作，又能够在简化工艺的同时显著提高蚀刻工艺。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及触摸屏
，特别涉及一种触屏膜制备方法。
技术介绍
随着触摸屏技术的发展，触摸屏越来越广泛地应用于手机、平板电脑、电视机、多媒体等。常见的触摸屏通常是由基片、贴附在基片一侧的ITO（Indium Tin Oxide,掺锡氧化铟），以及纳米银线，石墨烯等导电层，以及与ITO导电层电连接的电极引线，基片包括位于中部的显示区和围绕显示区的边框区，所述电极引线一般采用铜线绕制而成，铜线厚度一般为0.5微米，通过蒸度溅射的方法将铜膜覆盖整个基片，然后将基片显示区内的铜膜蚀刻掉，保留边框区的铜膜，由于铜膜的蒸度溅射工艺十分昂贵，使得触摸屏的生产成本极高。上述触摸屏的ITO导电层为单层，其抗噪能力不足，于是产生了具有双面ITO导电层的触摸屏（DITO触摸屏），制作该触摸屏需要经过烘烤、第一次耐酸油墨印刷、第一次蚀刻和剥膜、第二次耐酸油墨印刷、第二次蚀刻和剥膜等步骤，基片的正反面需要分别进行蚀刻，而且还需要贴合两个ITO层，这样加工工艺复杂而且贴合胶成还会降低透光和可靠性。而一般的双面ITO工艺在完成一面的蚀刻后，需要在同一基片上蚀刻另一面时，需要对另一面进行保护处理，以免造成对另一面ITO导电层图案的干扰或损害，其加工工艺十分复杂，不仅影响生产效率，还影响到产品质量的稳定性。随着触摸屏技术的进一步发展，依赖于微影技术的黄光制程在触摸屏的制备上得到了应用，微影技术是将光罩上的主要图案先转移至感光材料上，利用光线透过光罩照射在感光材料上，再用溶剂将感光材料受光照的部分加以溶解或保留，如此形成的光阻图案会和光罩完全相同或呈互补。该工艺相对于普通蚀刻方法大大简化了制备工艺，提高了蚀刻的精度，但由于该工艺需要对感光材料进行曝光，因此，该使用工艺很难制备具有双层ITO导电层的触摸屏。对于传统的双面ITO导电层的触摸屏而言，从理论上说，在制作过程中需要对基片的双面分别进行曝光，容易造成基片双面曝光后的图案相互相互影响，极大降低了蚀刻的精度，提高了人工操作难度。同样，对于单层ITO导电层的触摸屏而言，在曝光时，同样需要控制曝光强度，当曝光太弱时，难以形成曝光图案，同样不易于蚀刻的进行。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种能够方便操作、提高蚀刻精度的触摸屏的制备方法。为了解决上述技术问题，本专利技术采用如下技术方案：一种触摸屏的制备方法，包括如下步骤：1）提供基片，并在基片的正反面镀导电层，该基片包括显示区和边框区；2）在基片的正反面导电层上覆盖光阻干膜；3）对基片正反面的光阻干膜有选择的曝光，形成曝光部分和非曝光部分，所述曝光部分或非曝光部分形成基片显示区域的导电层图案, 所述曝光能量控制在20mJ至200mJ之间；4）通过显影、蚀刻工艺退去光阻干膜制得触摸屏；所述步骤2）到步骤4）在黄光条件下进行。 本专利技术通过对曝光能量进行控制，将其控制在一个合理的范围之内，当一面曝光后，曝光能量经过光阻干膜以后被吸收70%到90%，使得一面的曝光后的漏光到另一面的能量不足以造成另一面干膜的显影，同时也不会使曝光后的图案过于模糊。优选的，步骤3）所述曝光能量控制在50mJ至150mJ之间，进一步优选为80mJ至100mJ之间。 优选的，步骤1）基片的正反面均贴附导电层，步骤2）在基片正反面的导电层上分别覆盖光阻干膜；步骤3）对基片正反面的光阻干膜有选择的曝光以便在基片正反面形成对应的曝光部分和非曝光部分。本专利技术通过对曝光能量进行控制使得在一面看时，基片双面的曝光图案能够形成鲜明的色差，容易分辨基片正反面的曝光图案，便于对其蚀刻，提高了蚀刻精度。 进一步的，步骤4）的工艺为：首先，通过显影处理去除导电层图案以外的光阻干膜，保留与导电层图案相对应的光阻干膜部分；其次，通过蚀刻去除保留的光阻干膜以外部分的导电层的导电材料并退去所保留的光阻干膜以便在基片上形成显示区和边框区，所述导电层图案处于显示区内；然后，分别在基片边框区的正反面印刷感光银浆；最后，对感光银浆有选择的曝光以便得到有特定形状的银浆图案，并通过显影处理得到感光银浆电极引线，所述感光银浆电极引线的一端与所述导电层连接。进一步的，所述光阻干膜为负光阻干膜，步骤２）在80至110℃的条件下通过热压完成光阻干膜的覆盖。步骤4）显影处理时需对基片正反面同时喷淋弱碱溶液，步骤4）蚀刻时首先对基片正反面同时喷淋强酸溶液，然后喷淋强碱溶液。所述强酸为王水、硝酸或草酸，所述强碱为氢氧化钠、氢氧化钾溶液或质量浓度为1%到6%的乙二胺。步骤4）对感光银浆曝光前还包括预烘烤步骤，所述预烘烤条件为：70至100℃的温度下预烘烤3至15分钟。步骤4）对感光银浆曝光的曝光能量为100mJ 到400mJ。对DITO触摸屏来说，如何使得基片上下的感光材料曝光时不相互干扰一直是本领域的一大难题，传统的激光雕刻工艺会轻易地打穿基片上下层的图案，而传统的黄光蚀刻也会把上下层的图案印制到不同的层面，或者需要分别完成基片每一面的蚀刻，在对一面进行蚀刻时，需要对另一面采取保护手段，无疑增加了工序，降低了生产效率。本专利技术采用光阻干膜和感光银同时对基片双面进行曝光、蚀刻，工序简单，大大提高了触摸屏的生产效率。另外，本专利技术通过黄光蚀刻的工艺进一步降低ITO的图案尺寸，增强了透光性，减少蚀刻纹，并可显著提高触摸屏的灵敏度。本专利技术还通过对曝光能量的控制，使得基片双面的曝光图案能够形成明显色差，不会相互干扰，既方便了人工操作，又能够在简化工艺的同时显著提高蚀刻工艺。附图说明图1为贴附导电层的基片；图2为覆光阻干膜的基片；图3为经过蚀刻工艺后的触摸屏结构示意图；图4为退去光阻干膜后的触摸屏结构示意图；图5为印刷感光银浆后的触摸屏结构示意图；图6为本专利技术触摸屏的截面图；图7为本专利技术触摸屏下导电条和下感光银浆电极引线示意图；图8为本专利技术触摸屏上导电条和上感光银浆电极引线示意图；图9为采用100mJ的能量对光阻干膜进行曝光后得到的图案；图10为采用500mJ的能量对光阻干膜进行曝光后得到的图案。具体实施方式下面结合附图对本专利技术做进一步说明。实施例1 具有双面导电层的触摸屏制备方法具有双面导电层的触摸屏制备方法，包括如下步骤：步骤1），如图1所示，提供基片1，根据需要将其切割成具有一定大小和形状的片材，然后在基片1的正反面分别镀上导电层和下导电层，该基片包括显示区和边框区，也可以直接使用市场上已经贴附好的ITO导电膜，本实施例所述导电层为ITO导电层，即铟锡氧化物导电层，是一种透光导电层，本专利技术所用导电层除了使用ITO导电层外，还可以使用石墨烯，纳米碳管或纳米银线等透明导电层。所述基片1优选为PET（聚对苯二甲酸乙二醇酯）基片或者为PDMS基片，PDMS，即Polydimethylsiloxane,聚二甲基硅氧烷，或者为环状烯烃聚合物基片，即COP基片（COP，即Cyclic Olefin Polymer）。步骤2），如图2所示，在基片1正反面的上导电层和下导电层上分别覆盖上光阻干膜41和下光阻干膜42，本实施例所使用的光阻干膜为负光阻干膜（由杜邦，日立等公司生产），具体覆膜方法可在80至110℃的条件下通过热压完成，优选为80至90℃。步骤3），如图3所示，分别对基片1上的上光阻干膜41和下光阻干膜4本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种触摸屏的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：1）提供基片，并在基片的正反面镀导电层，该基片包括显示区和边框区；2）在基片的正反面导电层上覆盖光阻干膜；3）对基片正反面的光阻干膜有选择的曝光，形成曝光部分和非曝光部分，所述曝光部分或非曝光部分形成基片显示区域的导电层图案, 所述曝光能量控制在20mJ至200mJ之间；4）通过显影、蚀刻工艺退去光阻干膜制得触摸屏；所述步骤2）到步骤4）在黄光条件下进行。

【技术特征摘要】
1.一种触摸屏的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：1）提供基片，并在基片的正反面镀导电层，该基片包括显示区和边框区；2）在基片的正反面导电层上覆盖光阻干膜；3）对基片正反面的光阻干膜有选择的曝光，形成曝光部分和非曝光部分，所述曝光部分或非曝光部分形成基片显示区域的导电层图案, 所述曝光能量控制在20mJ至200mJ之间；4）通过显影、蚀刻工艺退去光阻干膜制得触摸屏；所述步骤2）到步骤4）在黄光条件下进行。2.根据权利要求1所述触摸屏的制备方法，其特征在于，步骤3）所述曝光能量控制在50mJ至150mJ之间。3.根据权利要求1所述触摸屏的制备方法，其特征在于，步骤3）所述曝光能量控制在80mJ至100mJ之间。4.根据权利要求1至3所述触摸屏的制备方法，其特征在于，步骤1）基片的正反面均贴附导电层，步骤2）在基片正反面的导电层上分别覆盖光阻干膜；步骤3）对基片正反面的光阻干膜有选择的曝光以便在基片正反面形成对应的曝光部分和非曝光部分。5.根据权利要求4所述触摸屏的制备方法，其特征在于，步骤4）的工艺为：首先，通过显影处理去除导电层图案以外的光阻干膜，保留与导电层图案相对应的光阻干膜部分；其次，通过蚀刻去除...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡川，王浩，
申请(专利权)人：东莞市伦丰电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44