【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种制造具有经粘合剂粘附到彼此的晶片和支撑体的晶片层合体的方法、一种制造晶片层合体的装置、一种晶片层合体、一种剥离支撑体的方法、以及一种制造晶片的方法。
技术介绍
通常，当制造厚度减小的半导体芯片时，形成有电路图案和电极的半导体晶片的反面被磨削，以使得半导体晶片可被加工成最终形状的各个芯片。常规做法是通过保护带来固定半导体晶片的电路这一面，然后对反面进行磨削。然而，由于在一些情况下在电路这一面上形成有高度为几十Pm的凹凸结构，所以保护带无法吸收此凹凸结构，电路图案被转印到半导体晶片的反面上。在这种情况下，应力集中于凸起部分上，半导体晶片开裂。为了解决上述问题，采取了这样的对策将保护带的粘合剂层做得较厚，或者将基材做得较厚或形成为多层结构。以上对策有一定的效果。然而，在晶片带有凸起电极，该凸起电极的高度不小于100 μ m(称为高隆起)的情况下，保护带难以吸收形成在电路面上的凹凸部分。另外，保护带本身有时具有IOym的厚度偏差。在这种情况下，相同厚度偏差将影响晶片。作为解决上述问题的一个常规例子，JP2004-064040中提出了一种方法，其中利用液...
【技术保护点】
１．一种制造晶片层合体的方法，所述晶片层合体包括：ａ）晶片；ｂ）支撑体，用于支撑所述晶片；ｃ）粘合剂层，用于将所述晶片和所述支撑体粘附到彼此；以及ｄ）形成在所述晶片的外周上的树脂突出部分；所述方法包括以下步骤：（１）将所述晶片吸到位于上方的晶片吸附台上，将所述支撑体吸到位于下方的支撑体吸附台上，并将所述晶片和所述支撑体设置为在竖直方向上彼此相对；（２）将液态粘合剂树脂施加到与所述晶片相对的所述支撑体的相对面上，以用于形成所述粘合剂层；（３）在保持所述晶片和所述支撑体之间的平行性的同时使所述晶片和所述支撑体彼此靠近，并且向介于所述晶片和所述支撑体之间的所述粘合剂树脂施加压力并...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。