制备水性兼容性纳米粒子的方法技术

技术编号:7149430 阅读:224 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术涉及一种制备水性兼容性纳米粒子的方法。更特别地,本发明专利技术提供一种通过将前修饰配体结合到纳米粒子上去并无需进一步的后-结合修饰以实现纳米粒子水性兼容性而制备水性兼容性半导体纳米粒子的方法。用这种方法修饰的纳米粒子相比于使用需要后-结合修饰工艺的现有技术方法制备的水性兼容性纳米粒子,可展现出增强的荧光性和稳定性。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】制备水性兼容性纳米粒子的方法本专利技术涉及水性兼容性纳米粒子的合成,特别是,但不绝对的,半导体纳米粒子,例如核心,核/壳或核/多壳半导体纳米粒子,其可大量分散或溶解于液体介质中。荧光有机分子具有包括光漂白,不同激发辐射频率和宽带放射的缺点。但是,采用量子点半导体纳米粒子替代荧光有机分子可绕过这些不足之处。半导体纳米粒子的大小决定了材料的电子性质;作为量子限制效应的结果,带隙能量是可逆地与半导体纳米粒子成比例。不同大小的量子点可用单一波长的光照射而激活,以提供窄带长的离散荧光放射。进一步地,针对纳米粒子的体积比的大面积区域具有对量子点的理化性质的极深影响。包括单一半导体材料的纳米粒子通常具有适度的理化稳定性和伴随的相对低的荧光量子效率。这些低量子效率由非放射电子空穴复合产生,非放射电子空穴复合在纳米粒子表面的缺陷和悬空键上产生。纳米核壳粒子包括带有典型地更宽带隙和更小晶格尺寸的外延生长在核表面的壳材料的半导体核。该壳消除了核表面的缺陷和悬空键,其将载荷子局限入核内并远离表面态,这样可以非放射复合的中心起作用。最近,半导体纳米粒子建构学已经进一步地发展到包括核/多壳纳米粒子,其中提供带有两本文档来自技高网...
制备水性兼容性纳米粒子的方法

【技术保护点】
1.一种通过使用一种掺入了一种纳米粒子结合基团和一种增溶基团前体的纳米粒子结合配体而制备水性兼容性纳米粒子的方法,该方法包括a.将增溶基团前体转化为增溶基团,并且b.用掺入了所述增溶基团的所述结合配体接触纳米粒子,以完成将所述结合配体结合到所述纳米粒子上。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】GB0813273.02008年7月19日1.一种通过使用一种掺入了一种纳米粒子结合基团和一种增溶基团前体的纳米粒子结合配体而制备水性兼容性纳米粒子的方法,该方法包括a.将所述增溶基团前体转化为增溶基团,并且b.用掺入了所述增溶基团的所述结合配体接触纳米粒子,以完成将所述结合配体结合到所述纳米粒子上并且,其中所述纳米粒子是核/壳纳米粒子,并且其中所述壳包含锌,其中所述纳米粒子结合基团和所述增溶基团通过一种连接体连接,其中所述连接体结合了20个到100个环氧乙烷重复单元,其中所述增溶基团前体的转化通过用一种离子化物质处理所述前体来完成,其中所述增溶基团前体包含硫原子。2.根据权利要求1的方法,其中所述增溶基团前体的转化通过用有效量的前体修饰物质接触纳米粒子结合配体来完成,以基本上将所有的存在于所述结合配体中的增溶基团前体转化为增溶基团。3.根据权利要求1的方法,其中所述增溶基团前体的转化通过用基于存在于所述结合配体中的增溶基团前体的量的大约化学量的前体修饰物质接触纳米粒子结合配体来完成。4.根据权利要求1的方法,其中所述增溶基团前体的转化通过用一种Lewis酸或一种Lewis碱化合物处理所述前体来完成。5.根据权利要求1的方法,其中所述增溶基团前体的转化通过用一种有机碱处理该前体来完成。6.根据权利要求1的方法,其中所述增溶基团前体的转化通过用一种铵盐或一种醇盐处理该前体来完成。7.根据权利要求6的方法,其中所述铵盐选自包括氢氧化四甲铵、氢氧化四乙铵和氢氧化四丁铵的组。8.根据权利要求1-6中任一项的方法,其中所述增溶基团前体的转化在一种第一溶剂中完成,并且掺入了所述增溶基团的纳米粒子结合配体与纳米粒子的所述接触在一种不同的第二溶剂中完成。9.根据权利要求1到6的任一项的方法,其中增溶基团前体选自包括氢氧化物、醇盐、羧酸、羧酸酯、胺、硝基、聚乙二醇...

【专利技术属性】
技术研发人员:奈杰尔·皮克特
申请(专利权)人:纳米技术有限公司
类型:发明
国别省市:GB

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