通过由等离子体工艺形成的气相，或通过机械应力将缺陷引入液体载体中的化学计量氧化锌颗粒中，而将氧化锌颗粒制备为干粉。该氧化锌的O:Zn之比为至少0.99，平均粒度为10nm至300nm，并且氧空位和锌空位的浓度足以使该颗粒在C12

磁珠包含分散在非磁性基体中的多个磁性纳米颗粒。磁珠具有0.1μm至100μm的平均粒度。基体可包含无机金属氧化物或聚合物。磁珠具有至少40m2/g的比表面积。/g的比表面积。/g的比表面积。

组合物包括多酚型颗粒和在所述多酚型颗粒上的表面活性剂。所述组合物是亲脂性的。所述多酚型颗粒是无色素的。分散体包括所述多酚型颗粒，表面活性剂，和载体载剂。所述载体载剂可以是亲脂性的美容上可接受的流体或蜡。可以是亲脂性的美容上可接受的流体或蜡。

组合物包含酚类聚合物颗粒和在酚类聚合物颗粒上的表面活性剂。该组合物是亲脂性的。分散体包含酚类聚合物颗粒、表面活性剂和载体介质。载体介质可以是化妆品可接受的流体或亲脂性的蜡。脂性的蜡。脂性的蜡。

一种包含分散在溶剂中的粒径不超过10μm的低溶解度成分的组合物。所述成分以大于该成分在溶剂中的饱和极限的量存在。所述组合物通过冻融循环试验。过冻融循环试验。过冻融循环试验。

本文描述了用于电致发光显示装置的发射层。发射层可以包含双掺杂剂体系，该双掺杂剂体系具有多个量子点(QD)和多个表现出热活化延迟荧光(TADF)的分子。在一些情况下，QD和TADF分子中的一种或二者可以设置于主体基质中。在一些情况下，QD...

顶发射(TE)型印刷显示器的发射层包含被夹入到介于反射性底电极和透明或半透明的顶电极之间的微腔中的可溶液加工纳米晶体量子点、热活化延迟荧光分子与合适的主体材料以及电子和空穴电荷传输材料二者的组合。电极可以是反射性金属，并且发射层和电荷传...

电致发光装置比如电致发光显示装置的发射层包括主体基质和分散于主体基质中的双掺杂剂体系。双掺杂剂体系具有荧光发射体掺杂剂和发射供体辅助掺杂剂。发射供体辅助掺杂剂可以是荧光供体辅助掺杂剂或磷光供体辅助掺杂剂。荧光发射体掺杂剂与发射供体辅助掺...

本公开内容涉及与5‑氨基乙酰丙酸或其酯缀合的量子点纳米粒子以及它们与另外的游离的非内源性5‑氨基乙酰丙酸或其酯结合的用途。

已发现某些含硅表面改性配体可以用来使半导体纳米粒子(量子点)与聚硅氧烷更相容。分散在聚硅氧烷基质中的量子点可以例如用于发光器件以改变这样的器件的发射光谱。

有机加帽量子点通过以下方式制备：用6‑巯基己醇(MCH)和2‑[2‑(2‑甲氧基乙氧基)‑乙氧基]‑乙酸(MEEAA)的组合将多种构造的QD的表面官能化。这样的MCH/MEEAA加帽的QD表现出改善的与在制造发光装置如液晶显示器的含QD...

描述了用于经由光响应性量子点(QD)药物递送系统(QD‑DDS)将药物递送至期望组织的组合物及其用途。所述QD‑DDS包括负载有药物分子的水溶性QD纳米粒子，所述药物分子在被所述QD吸收的波长下施加光时能够从所述QD‑DDS释放。

经涂覆的粉末包括：(a)颗粒，和(b)在颗粒的表面上的涂层，其包括(1)二氧化硅部分、(2)选自单有机氧基硅烷部分、双有机氧基硅烷部分和三有机氧基硅烷部分的有机氧基硅烷部分以及(3)聚(二烷基)硅氧烷部分。有机氧基硅烷部分和二氧化硅部分...

本发明公开了量子点(QD)的多相聚合物膜及其在发光器件(LED)中的用途。QD被吸收在分散在外部聚合物相内的主体基质中。主体基质是疏水性的并且与QD的表面相容。主体基质还可以包含防止QD聚集的支架材料。外部聚合物典型是更亲水的并且防止氧...

一种用于制备硒化铜纳米粒子的方法，所述方法包括在硒醇化合物的存在下，实现含有铜和硒离子的纳米粒子前体组合物向硒化铜纳米粒子材料的转化。还公开了使用硒化铜作为助熔剂制造的含有硒化铜的膜和CIGS半导体膜。

描述用于用靶特异性量子点纳米装置检测和治疗包括癌症的病况的组合物和方法。在一些方面，提供具有多种靶特异性的纳米颗粒缀合物，并且包括表面修饰的水溶性量子点(QD)纳米颗粒，其中每个纳米颗粒与至少两种不同的靶特异性配体化学缀合。

已经发现某些二硫代化合物是用于量子点(QD)纳米粒子的优秀封端配体。二硫代配体的实例包括二硫代氨基甲酸酯或盐配体。这些强结合的配体能够配位至纳米粒子表面上的正原子和负原子二者。所述配体是二齿的，并且因此它们向QD表面的接近不像单齿配体的...

利用短波长UV辐射固化的薄硅氮烷涂层是高度透明的，表现出良好的氧阻挡性能，并且对含量子点膜中的量子点造成的损坏最低。

本公开涉及与配体缀合的量子点纳米粒子，特别是其中每一纳米粒子都与可聚合配体缀合的量子点纳米粒子。本公开还涉及制备这样的缀合量子点纳米粒子的方法，以及这样的缀合量子点纳米粒子作为治疗剂、消融剂和纹身剂的用途。

核/壳半导体纳米颗粒结构包括：包含卤化物钙钛矿半导体的核，和包含不是卤化物钙钛矿的半导体材料(并且基本上不含卤化物钙钛矿)的壳。卤化物钙钛矿半导体核可以是AMX3形式，其中：A是有机铵，比如CH3NH3