纳米技术有限公司专利技术

纳米技术有限公司共有113项专利

  • 本文公开了用于制备Cu2XSnY4纳米粒子(CXTY)的材料和方法,其中X是Zn、Cd、Hg、Ni、Co、Mn或Fe且Y是S或Se。该纳米粒子可以用于制造在薄膜光伏(PV)电池中使用的层。该CXTY材料通过在不稳定的有机硫属元素存在下的...
  • 在光动力疗法中,通过施用与5‑氨基乙酰丙酸缀合的量子点纳米颗粒作为荧光标记物和光敏剂的前体,将与5‑氨基乙酰丙酸缀合的量子点纳米颗粒用于治疗癌症。
  • 经包覆的粉末包括(a)纳米颗粒,和(b)在所述纳米颗粒的表面上的包覆层。所述包覆层包括(1)二氧化硅部分,(2)选自如下的有机基氧基硅烷部分:单有机基氧基硅烷部分、二有机基氧基硅烷部分和三有机基氧基硅烷部分,和(3)聚(二烷基)硅氧烷部分。
  • 第III-V族/锌硫属化物合金化的半导体量子点
    在II‑VI族分子加晶种簇存在下制备窄分布、明亮、单分散的光致发光量子点的规模化方法,所述分子加晶种簇由锌盐和硫醇或硒醇化合物的反应原位制造。示例性量子点具有含有铟、磷、锌和硫或硒的核心。
  • 用于将Cu(In,Ga)(S,Se)2纳米粒子与钠或锑掺杂的方法
    使用多种方法以在将CIGS层沉积在光伏器件上时提供在含CIGS的墨中所需的掺杂金属浓度。当掺杂金属是钠时,其可以通过下列方式结合:在Cu(In,Ga)(S,Se)2纳米粒子的合成反应开始时加入钠盐,例如乙酸钠连同含铜、铟和/或镓的试剂;...
  • 含有半导体纳米粒子的材料和结合它的发光装置
    本发明提供了一种发光装置盖,所述发光装置盖被构造成设置在包括一次光源的发光装置上。所述盖限定了其中容纳半导体纳米粒子群的井区,使得当所述盖设置在所述发光装置上时,所述半导体纳米粒子与所述发光装置的所述一次光源光学通讯。还提供了包含一次光...
  • 用金属硫醇聚合物稳定化的量子点
    一种物质的组合物包含多个量子点和用于使所述量子点稳定化的金属硫醇聚合物。在某些实施方案中,金属硫醇聚合物是锌硫醇聚合物。锌硫醇聚合物可以是烷基硫醇锌。烷基硫醇锌可以是十二烷基硫醇锌(Zn‑DDT)。包含多个量子点和金属硫醇聚合物的组合物...
  • 表面改性的纳米粒子
    通过将配体相互作用剂与纳米粒子的表面缔合制备表面改性的纳米粒子。所述配体相互作用剂结合至被调节为赋予特别的可溶性和/或相容性的表面改性配体。所述的配体相互作用剂经由连接/交联剂交联,如六甲氧基甲基三聚氰胺或其衍生物。所述的连接/交联剂可...
  • 表面功能化的纳米颗粒
    本发明涉及表面功能化的纳米颗粒的生产方法,例如整合表面结合官能团的半导体量子点纳米颗粒,所述官能团使这些点易于在各种应用中使用,例如整合到溶剂、墨水、聚合物、玻璃、金属、电子材料和装置、生物分子和细胞中。该方法包括使第一和第二纳米颗粒前...
  • 用于发光应用的模制纳米粒子磷光体
    用于发光应用的模制纳米粒子磷光体通过将在基质材料前体中的纳米粒子的悬浮液转化为模制纳米粒子磷光体而制备。所述基质材料可以是纳米粒子在其中是可分散的并且其是可成型的任何材料。所述模制纳米粒子磷光体可以使用任何成型技术,如例如聚合成型,接触...
  • 多层包覆的量子点珠
    本文公开了包覆珠,所述包覆珠由初级基质材料制成并且含有大量量子点纳米粒子。每个珠具有多层表面包覆层。所述层可以为两种以上不同的表面包覆层材料。所述表面包覆层材料可以为无机材料和/或聚合物材料。还描述了一种制备这样的粒子的方法。所述包覆珠...
  • 制备水性兼容性纳米粒子的方法
    本发明涉及一种制备水性兼容性纳米粒子的方法。更特别地,本发明提供一种通过将前修饰配体结合到纳米粒子上去并无需进一步的后‑结合修饰以实现纳米粒子水性兼容性而制备水性兼容性半导体纳米粒子的方法。用这种方法修饰的纳米粒子相比于使用需要后‑结合...
  • 量子点组合物
    本发明公开了量子点(QD)的多相聚合物膜。QD被吸收在分散在外部聚合物相内的主体基质中。主体基质是疏水性的并且与QD的表面相容。主体基质还可以包含防止QD聚集的支架材料。外部聚合物典型是更亲水的并且防止氧与QD接触。
  • 本文描述了含有量子点(QD)的多相聚合物膜。所述膜具有主要为疏水性聚合物的域和主要为亲水性聚合物的域。在疏水基质内通常更稳定的QD主要分散在所述膜的疏水域内。亲水域在排除氧方面趋于是有效的。
  • 纳米颗粒
    公开了一种用于生产纳米颗粒的方法,所述纳米颗粒由核心、第一壳和第二壳半导体材料组成。实现包括单独的第一和第二前体物质的核心前体组合物转化成核心材料,然后沉积所述第一和第二壳。在容许纳米颗粒核心的引晶和生长的条件下在分子簇化合物存在下实现...
  • 一种用于制备硒化铜纳米粒子的方法,所述方法包括在硒醇化合物的存在下,实现含有铜和硒离子的纳米粒子前体组合物向硒化铜纳米粒子材料的转化。还公开了使用硒化铜作为助熔剂制造的含有硒化铜的膜和CIGS半导体膜。
  • 已发现某些含硅表面改性配体可以用来使半导体纳米粒子(量子点)与聚硅氧烷更相容。分散在聚硅氧烷基质中的量子点可以例如用于发光器件以改变这样的器件的发射光谱。
  • 在形成量子点聚合物膜期间加入链转移剂(CTA)或可逆加成断裂链转移剂(RAFT CTA)如(2‑(十二烷基‑三硫代碳酸酯基)‑2‑甲基丙酸)得到特征在于高且稳定的量子产率的膜。
  • 已经发现某些二硫代化合物是用于量子点(QD)纳米粒子的优秀封端配体。二硫代配体的实例包括二硫代氨基甲酸酯或盐配体。这些强结合的配体能够配位至纳米粒子表面上的正原子和负原子二者。所述配体是二齿的,并且因此它们向QD表面的接近不像单齿配体的...
  • 用于使用CIGS纳米粒子在基板上制备CIGS吸收层的方法包括一个或多个退火步骤,所述退火步骤包括加热一个或多个CIGS纳米粒子膜以将膜干燥并且可以将CIGS纳米粒子熔合在一起以形成CIGS晶体。通常,至少最终退火步骤将会引起粒子熔合以形...