【技术实现步骤摘要】
多层包覆的量子点珠本申请是申请日为2014年3月13日、专利技术名称为“多层包覆的量子点珠”、国际申请号为PCT/IB2014/001257并且中国国家申请号为201480014975.8的申请的分案申请。
本专利技术涉及基于半导体纳米粒子的材料,特别地但不排他地,涉及用于制造基于量子点的发光装置的含量子点的珠(含量子点的颗粒,quantumdot-containingbeads)。本专利技术还涉及用于基于半导体纳米粒子的材料的方法。
技术介绍
在利用由具有约2-50nm的尺寸的粒子(经常被称为量子点(QD)、纳米粒子和/或纳米晶体)组成的复合半导体的性能中已有大量关注。这些材料由于其可尺寸调节的电子性能而受到商业关注,该性能可以用于许多商业应用如光学和电子装置以及其他应用,包括生物学标记、光伏产业、催化、生物学成像、发光二极管(LED)、普通空间照明和电致发光显示器等许多新型和新兴应用。已经进行最多研究的半导体材料是硫属化物,II-VI材料,即ZnS,ZnSe,CdS,CdSe,CdTe;最值得注意的是CdSe,这是由于其在光谱的可见区域内的依赖尺寸的可调节性。 ...
【技术保护点】
一种物质的组合物,所述组合物包含:包含多个珠的粉末,其中每个珠包含:初级基质材料,并入到所述初级基质材料中的大量量子点纳米粒子;和设置在所述初级粒子上的表面包覆层,所述表面包覆层包含至少一个表面包覆层层,其中每个表面包覆层层基本上由包覆层材料的一个或多个单层组成。
【技术特征摘要】
2013.03.14 US 61/781,3231.一种物质的组合物,所述组合物包含:包含多个珠的粉末,其中每个珠包含:初级基质材料,并入到所述初级基质材料中的大量量子点纳米粒子;和设置在所述初级粒子上的表面包覆层,所述表面包覆层包含至少一个表面包覆层层,其中每个表面包覆层层基本上由包覆层材料的一个或多个单层组成。2.一种用于制备包覆的量子点珠的方法,所述方法包括:提供包含多个珠的粉末,其中每个珠包含:初级基质材料,和并入到所述初级基质材料中的大量量子点纳米粒子;和在将所述粉末反复地暴露于原子层沉积(ALD)前体的同时搅动所述粉末。3.权利要求2所述的方法,其中将所述粉末暴露于ALD前体包括将所述粉末暴露于包含所述ALD前体的反应物气体的脉冲。4.权利要求3所述的方法,其中搅动所述粉末包括将所述粉末暴露于惰性气体的脉冲。5.权利要求4所述的方...
【专利技术属性】
技术研发人员:马修·沃纳,纳瑟莉·格雷斯蒂,奈杰尔·皮克特,保罗·乔克,詹姆斯·哈里斯,伊马德·纳萨尼,
申请(专利权)人:纳米技术有限公司,
类型:发明
国别省市:英国,GB
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