在静电吸盘和制造该静电吸盘的方法中，所述静电吸盘包括具有穿透孔的主体；具有与所述主体的穿透孔对应的插入部分以及被定位于所述基板之内并通过所述插入部分被局部暴露出来的电极的基板；具有通过所述穿透孔和所述插入部分与所述电极接触的端子以及将所述主体与所述端子电绝缘开的绝缘构件的端子单元；设置在所述主体和所述绝缘构件之间的第一边界区域处的第一缓冲层，该第一缓冲层用于吸收热应力；以及设置在所述基板和所述绝缘构件之间的第二边界区域处的第二缓冲层，该第二缓冲层防止裂纹生长。因此，热应力被吸收到所述第一缓冲层并且第二缓冲层防止了裂纹生长。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
示例的实施例涉及一种在处理腔内的静电吸盘，更特别的是涉及一种包括用于减 小静电吸盘的热应力并防止吸盘的裂纹生长的双缓冲层的静电吸盘。
技术介绍
大体而言，用于制造半导体装置和诸如液晶显示器(LCD)装置之类的平板装置的 工艺，包括诸如化学气相沉积(CVD)之类的沉积工艺和诸如反应离子蚀刻工艺之类的蚀刻 工艺。在上述沉积工艺和蚀刻工艺中，需要将诸如硅晶片和玻璃面板之类的衬底紧固在处 理腔内的电极片上，以提高工艺可靠性。通常用静电吸盘(ESC)将所述衬底紧固在所述处 理腔内的电极片上。图1是图示在处理腔中的现有的静电吸盘的剖视图。参考图1，现有的静电吸盘100包括含有铝的主体101、上面固定地定位有衬底的 基板102、安装在基板102内部且产生静电力的电极103、用于将高压施加到所述电极的端 子104以及包围住端子104的绝缘构件105。通过端子104将高压从外部电源施加到电极103上，会在电极103处产生静电力， 然后，在静电力的作用下，基板102上的衬底被吸向基板102，并被紧固到静电吸盘100上。在现有的沉积工艺或者蚀刻工艺中，基板102由所述处理腔内的等离子体 (plasma)加热，由于处理腔内的等离子体温度高，通常静电吸盘100的基板102是处于大的 热应力下。尤其是，热从基板102传递到铝主体101，从而使主体101在各个方向热膨胀。 由于主体101、基板102和绝缘构件105的热系数通常互不相同，热应力会施加在主体101、 基板102和绝缘构件105上。在现有的静电吸盘100中，在主体101、基板102和绝缘构件 105互相接触的边界区域的上端部A处热应力最大。由于基板102的强度比主体101和绝缘构件105的强度小得多，在所述边界区域 的上端部A处的热应力对基板102的影响比对主体101和绝缘构件105的影响大得多，因 此在靠近所述边界区域的上端部A处的基板102的下方部分产生裂纹。随着静电吸盘100 被重复操作，所述裂纹会扩散到基板102的上方部分，直到整个基板102，最终，基板102由 于裂纹而断裂。因此，强烈需要一种改进的静电吸盘，其中因热应力而产生的裂纹可以被最小化， 从而防止静电吸盘的故障。
技术实现思路
示例的实施例提供一种用于静电吸盘的端子，所述静电吸盘包括用于吸收操作所 述静电吸盘时的热应力的双缓冲层，以及一种形成所述端子的方法。示例的实施例还提供具有上述端子的静电吸盘和制造该静电吸盘的方法。根据一些示例实施例，提供一种静电吸盘，包括具有穿透孔的主体；设置在所述 主体上的基板，在该基板上通过静电力紧固有衬底，所述基板具有与所述主体的穿透孔对应的插入部分以及被定位于所述基板之内并通过所述插入部分被局部暴露出来的电极；具 有通过所述主体的穿透孔和所述基板的插入部分与所述电极形成接触的端子以及将所述 主体与所述端子电绝缘开的绝缘构件的端子单元；设置在所述主体和所述绝缘构件之间的 第一边界区域处的第一缓冲层，该第一缓冲层吸收所述主体的热应力；以及设置在所述基 板和所述绝缘构件之间的第二边界区域处的第二缓冲层，该第二缓冲层防止裂纹生长到所 述基板。在一个示例实施例中，所述第一缓冲层还被设置在所述基板和所述绝缘构件之间 的第二边界区域处。所述第一缓冲层和第二缓冲层包括基于陶瓷材料的材料。所述第一缓 冲层和第二缓冲层的孔隙度分别等于或者高于所述基板的孔隙度。例如，所述第一缓冲层 和第二缓冲层的孔隙度分别在大约2%至大约10%的范围内。所述第一和第二缓冲层分别 具有大约100 μ m至大约250 μ m的厚度。所述第一缓冲层具有大约0. 1 μ m至大约2 μ m的 表面粗糙度，所述第二缓冲层具有大约3 μ m至大约7 μ m的表面粗糙度。根据一些示例实施例，提供一种制造静电吸盘的方法。制备具有穿透孔的主体；以 这种方式提供端子单元，即使得该端子单元对应于所述穿透孔且具有用于吸收所述主体表 面上的热应力的第一缓冲层。所述主体和所述端子单元被互相组合，使得所述端子单元穿 透所述穿透孔，并从所述主体的顶部表面突出。以这种方式跨过所述主体的一部分和所述 第一缓冲层的一部分形成第二缓冲层。在所述主体和所述第二缓冲层上形成下基板，使得 所述端子的顶部表面暴露出来。在所述下基板上形成电极，使得该电极与所暴露出来的端 子单元形成接触。在所述下基板和所述电极上形成上基板。例如，所述第一缓冲层和第二 缓冲层分别通过常压等离子喷涂(APQ涂覆工艺形成。.根据一些示例实施例，所述静电吸盘的热应力可以被所述静电吸盘中的缓冲层所 吸收，从而可以充分减少由于热应力所造成的裂纹，而增加了所述静电吸盘的耐久性寿命。附图说明从下面的详细描述结合附图将会更清楚地理解示例实施例。图1是图示在处理腔内的现有技术的静电吸盘的剖视图；图2是图示根据本专利技术构思的示例实施例的静电吸盘的剖视图。具体实施例方式下文将参考示出了一些示例实施例的附图来更充分地描述各种示例实施例。本发 明可以具体化为许多不同的形式，而并不能解释为受到此处所罗列的实施例的限制。相反， 提供这些示例实施例是为了使得本披露详尽和完整，并且使本领域的技术人员完全了解本 专利技术的范围。在附图中，为了清楚起见，其中的层和区域的尺寸和相对尺寸可能会被放大。应理解，当称元件或者层是在另一元件或者层“上”、与另一元件或者层“耦接”或 者“连接”时，它可以是直接在另一元件或者层上、与其他元件或者层直接连接或者耦接，或 者是有居于中间的元件或者层。相反，当称一个元件是“直接在另一元件或者层之上”、与另 一元件或者层“直接耦接”或者“直接连接”，那么就没有居于中间的元件或者层。通篇中相 同标号指的是相同的元件。本说明书中所使用的措词“和/或”包括所罗列的相关联的项 目中的一项或多项的所有组合。应理解，虽然此处可能使用第一、第二、第三等等措词来描述各种部件、元件、区 域、层和/或部分，但这些部件、元件、区域、层和/或部分不应当受到这些措词的限制。这 些措词仅用于区分一个部件、元件、区域、层或者部分与另一个区域、层或者部分。因此，在 不偏离本专利技术的教导时，下文讨论的第一部件、组件、区域、层或者部分可以被称为是第二 部件、组件、区域、层或者部分。在本说明书中，可能会使用诸如“在……下方”、“在……下面”、“下”、“在……上方”、“上”等等之类与空间位置相关的措词，以使附图中图示的一个部件或者特征与另一个 部件或者特征的关系描述起来容易。要理解的是，与空间位置相关的措词旨在涵盖除了附 图中所描述的装置的方位之外，装置在使用中或者操作中的不同方位。例如，如果附图中的 装置翻转过来，则描述为在其它部件或者特征“下面”或者“下方”的部件的方位为在所述 其它部件或者特征的“上方”。因此，示例的措词“在……下面”可以涵盖上面和下面两个方 位。该装置可作另外的朝向(转动90度或者在其它朝向)，本说明书中所使用的空间相对 位置的描述将作相应的解释。本说明书中所用的术语的目的只是为了描述具体的示例实施例，并不旨在限制本 专利技术。如本说明书中所使用的单数形式“一个”和“所述”还旨在包括复数形式，除非在上 下文中另有明确表述。进一步应当理解的是，在说明书中所用的措辞“包括”，明确说明了存 在有所描述的特征本文档来自技高网...
【技术保护点】
１．一种静电吸盘，包括：具有穿透孔的主体；设置在所述主体上的基板，在该基板上通过静电力紧固有衬底，所述基板具有与所述主体的穿透孔对应的插入部分以及被定位于所述基板之内并通过所述插入部分被局部暴露出来的电极；端子单元，其具有通过所述主体的穿透孔和所述基板的插入部分与所述电极形成接触的端子以及将所述主体与所述端子电绝缘的绝缘构件；设置在所述主体和所述绝缘构件之间的第一边界区域处的第一缓冲层，该第一缓冲层吸收所述主体的热应力；以及设置在所述基板和所述绝缘构件之间的第二边界区域处的第二缓冲层，该第二缓冲层防止裂纹生长到所述基板。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：崔镇植，
申请(专利权)人：高美科株式会社，
类型：发明
国别省市：KR
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。