ＩＩＩ族氮化物半导体发光器件制造技术

本发明专利技术涉及一种ＩＩＩ族氮化物半导体发光器件，所述ＩＩＩ族氮化物半导体发光器件包括：ｎ型氮化物半导体层、掺有ｐ型掺杂剂的ｐ型氮化物半导体层、位于所述ｎ型氮化物半导体层和所述ｐ型氮化物半导体层之间并包括通过电子和空穴的复合而发光的量子阱层的有源层、和设置在所述量子阱层和所述ｐ型氮化物半导体层之间并与这两层接触的扩散阻挡层，该层的表面形成为使得与所述ｐ型氮化物半导体层的界面平滑并防止所述ｐ型掺杂剂扩散到所述量子阱层中。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开一般涉及III族氮化物半导体发光器件，更具体而言，涉及包括防止Mg扩散到最后的量子阱层中的扩散阻挡层的III族氮化物半导体发光器件。所述III族氮化物半导体发光器件是指包含由Α1ω(^ωΙη(1_Χι)Ν(0彡X彡1，0彡y彡1，0彡x+y彡1)构成的化合物半导体层的如发光二极管等发光器件，所述III族氮化物半导体发光器件可进一步包含由其他族元素构成的材料(如SiC、SiN、SiCN和CN)以及由这些材料制成的半导体层。
技术介绍
该部分提供了与本公开有关的并不一定是现有技术的背景信息。图1是传统III族氮化物半导体发光器件的一个实例的视图。所述III族氮化物半导体发光器件包括衬底100、在所述衬底100上生长的缓冲层200、在所述缓冲层200上生长的η型氮化物半导体层300、在所述η型氮化物半导体层300上生长的有源层400、在所述有源层400上生长的ρ型氮化物半导体层500、在所述ρ型氮化物半导体层500上形成的P侧电极600、在所述ρ侧电极600上形成的ρ侧焊盘700和在通过台面刻蚀所述ρ型氮化物半导体层500和所述有源层400而露出的所述η型氮化物半导体层上形成的η侧本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种ＩＩＩ族氮化物半导体发光器件，所述ＩＩＩ族氮化物半导体发光器件包含：ｎ型氮化物半导体层；掺有ｐ型掺杂剂的ｐ型氮化物半导体层；有源层，所述有源层位于所述ｎ型氮化物半导体层和所述ｐ型氮化物半导体层之间，并包含通过电子和空穴的复合而发光的量子阱层；和扩散阻挡层，所述扩散阻挡层设置在所述量子阱层和所述ｐ型氮化物半导体层之间并与这两层接触，所述扩散阻挡层的表面形成为使得与所述ｐ型氮化物半导体层的界面平滑并防止所述ｐ型掺杂剂扩散到所述量子阱层中。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴恩铉，
申请(专利权)人：艾比维利股份有限公司，
类型：发明
国别省市：KR