温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及一种ＩＩＩ族氮化物半导体发光器件，所述ＩＩＩ族氮化物半导体发光器件包括：ｎ型氮化物半导体层、掺有ｐ型掺杂剂的ｐ型氮化物半导体层、位于所述ｎ型氮化物半导体层和所述ｐ型氮化物半导体层之间并包括通过电子和空穴的复合而发光的量子阱层的有源...
该专利属于艾比维利股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过艾比维利股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。