【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开涉及光刻，更具体而言，涉及利用可变形束(VSB)带电粒子束光刻来设计 和制造表面，该表面可以是光刻板(reticle)、晶片或者任何其他表面。
技术介绍
在诸如集成电路之类的半导体器件的生产或制造中，可以使用光刻来制作半导体 器件。光刻是一种印刷工艺，通过光刻板制造的光刻掩膜用来将图案转移到诸如半导体或 硅晶片之类的衬底上来产生集成电路。其他衬底可包括平板显示器甚至其他光刻板。另外， 深紫外光(EUV)或者X射线光刻也是考虑的光刻类型。一个或多个光刻板可以包含与集成 电路的一个独立层相对应的电路图案，并且可以将该图案成像到已涂覆了一层称作光刻胶 或者抗蚀剂(resist)的辐射敏感材料的衬底的特定区域。一旦转移了该图案化的层，该层 就可以经历各种其他工艺，例如蚀刻、离子植入(掺杂)、金属化、氧化和抛光。这些工艺用 来完成衬底中的单个层。如果要求多层，则将针对每个新的层重复完整的工艺或者它们的 变体。最终，将在衬底上呈现多个器件或集成电路的组合。然后通过切块或者锯这些集成 电路被彼此分离，并且然后可以被安装到各个封装中。在更一般的情形中，衬底上的图案可 用来...
【技术保护点】
１．一种利用带电粒子束光刻来制造表面的方法，该方法包括：输入要在所述表面上形成的期望图案；确定多个可变形束（ＶＳＢ）发射，其中，允许这多个发射中的发射彼此重叠，并且这多个ＶＳＢ发射的任意子集的联合与所述期望图案不同，其中所述子集中的每个发射是放大后的、缩小后的、或者是原始确定的大小的；根据所述多个ＶＳＢ发射计算所述表面上的计算出的图案；如果所述计算出的图案与所述期望图案差别大于预定容限，则修改所述多个ＶＳＢ发射并且重新计算所述计算出的图案；以及利用所述多个ＶＳＢ发射在所述表面上形成所述图案。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
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