【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】掩模版增强技术中的设计的建模相关申请本申请要求于2017年12月22日提交并且标题为“MODELINGOFADESIGNINRETICLEENHANCEMENTTECHNOLOGY”的美国非临时专利申请号15/853,311的权益；所述专利申请出于所有目的以引用的方式并入本文。
技术介绍
亚微米制造使用光刻技术在基板上构建材料层以形成晶体管、二极管、发光二极管(LEDS)、电容器、电阻器、电感器、传感器、电线、光缆、微机电系统(MEMS)和共同生产起某一功能的装置的其他元件。基板光刻是一种印刷工艺，其中使用掩模(有时叫做掩模版)将图案转印到基板以形成装置。在诸如集成电路或平板显示器等装置的生产或制造中，可使用基板光刻来制造装置。当要形成的装置是集成电路时，通常基板是硅晶片。在形成集成电路时，光刻是半导体光刻，对于大批量生产通常是基板光刻。其他基板可包括平板显示器、液晶面板显示器、用于平板显示器的掩模、纳米压印母版或其他基板甚至其他掩模。在半导体光刻中，一个或多个掩模可包含对应于集成电路的多个图案化工艺中的单独层或层的一部分的电路图...
【技术保护点】
1.一种用于掩模版增强技术(RET)的方法，其包括：/n将目标晶片图案或所预测晶片图案表示为作为函数样本数组(FSA)捕获的平滑函数，其中所述FSA是函数值的数组，所述函数值能够是实数、复数或数字的集合；以及/n提供连续色调掩模(CTM)，其中所述CTM用于产生所预测晶片图案，所预测晶片图案跨越整个设计区域。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171222 US 15/853,3111.一种用于掩模版增强技术(RET)的方法，其包括：
将目标晶片图案或所预测晶片图案表示为作为函数样本数组(FSA)捕获的平滑函数，其中所述FSA是函数值的数组，所述函数值能够是实数、复数或数字的集合；以及
提供连续色调掩模(CTM)，其中所述CTM用于产生所预测晶片图案，所预测晶片图案跨越整个设计区域。
2.如权利要求1所述的方法，其还包括：
将所述整个设计区域划分成多个图块；以及
迭代所述整个设计区域的所述CTM，直到所述CTM满足产生所述目标晶片图案的标准为止，其中每次迭代包括：
针对所述多个图块的子集计算所预测晶片图案；
其中所述子集中的所有图块都在下一迭代之前被计算。
3.如权利要求2所述的方法，其中所述计算是在计算平台上执行的，所述计算平台具有所述计算平台的所有计算节点的集合总存储器，其中所述集合总存储器在所有迭代过程中保持所述目标晶片图案和所述整个设计区域的所述CTM。
4.如权利要求2所述的方法，其中所述计算还包括：
计算成本和导数数据，所述成本和所述导数数据是基于将所预测晶片图案与所述目标晶片图案进行比较，其中所述成本也表示为平滑函数；以及
使用所述成本和所述导数数据来更新所述图块的所述CTM。
5.如权利要求4所述的方法，其还包括：将所述CTM表示为作为函数样本数组(FSA)捕获的平滑函数，其中所述FSA是函数值的数组，所述函数值能够是实数、复数或数字的集合。
6.如权利要求2所述的方法，其中：
每个图块具有围绕所述图块的光晕区；
所述计算是针对每一图块及其光晕区计算的；并且
每次迭代还包括：
在计算所预测晶片图案之后，更新所述图块子集中的单独图块的所述CTM；以及
使用所述单独图块的所更新CTM来更新与所述单独图块相邻的图块的光晕区。
7.如权利要求6所述的方法，其中所述光晕区具有围绕所述图块的厚度，所述厚度是用于所述RET的基板光刻系统的光刻成像接近范围截止的1.5至4倍。
8.如权利要求2所述的方法，其中每一图块的所述计算是在由图形处理单元加速的计算节点上执行的。
9.如权利要求1所述的方法，其中所述将所述目标晶片图案表示为FSA包括：对所述目标晶片图案应用低通滤波器。
10.如权利要求1所述的方法，其中所述目标晶片图案的所述FSA被带限到基板光刻系统的空间频率截止，并且在满足奈奎斯特标准的网格上采样。
11.如权利要求1所述的方法，其中所述目标晶片图案是针对半导体芯片的掩模层。
12.一种用于掩模版增强技术(RET)的方法，其包括：
a)输入目标晶片图案，所述目标晶片图案跨越整个设计区域；
b)将所述整个设计区域划分成多个图块，每个图块具有围绕所述图块的光晕区；
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