【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】掩模坯料、相移掩模及半导体器件的制造方法
本专利技术涉及掩模坯料、使用该掩模坯料制造的相移掩模。另外，本专利技术涉及使用了上述的相移掩模的半导体器件的制造方法。
技术介绍
在半导体器件的制造工序中，使用光刻法进行微细图案的形成。另外，该微细图案的形成中通常要使用多片的转印用掩模。进行半导体器件的图案的微细化时，除了形成于转印用掩模的掩模图案的微细化以外，还需要使光刻中使用的曝光光源的波长短波长化。近年来，越来越多地在制造半导体器件时的曝光光源中应用ArF准分子激光(波长193nm)。转印用掩模的一种包括半色调型相移掩模。半色调型相移掩模具有使曝光光透过的透光部、和使曝光光减光而透过(半色调相移膜的)相移部，其使透过相移部的曝光光的相位相对于透过透光部的曝光光的相位基本反转(大致180度的相位差)。通过该相位差，透光部与相移部的边界的光学图像的对比度提高，因此，半色调型相移掩模成为分辨率高的转印用掩模。对于半色调型相移掩模而言，存在半色调相移膜对于曝光光的透射率越高、转印图像的对比度越高的倾向。因此，特别是以要...
【技术保护点】
1.一种掩模坯料，其在透光性基板上具备相移膜，/n所述相移膜至少包含含氮层和含氧层，/n所述含氧层由含有硅和氧的材料形成，或者由含有选自半金属元素及非金属元素中的1种以上元素、氧及硅的材料形成，/n所述含氮层由含有硅和氮的材料形成，或者由含有选自非金属元素及半金属元素中的1种以上元素、氮及硅的材料形成，/n对所述含氮层进行X射线光电子能谱分析，获得所述含氮层中的Si2p窄谱的光电子强度的最大峰PSi_f，并对所述透光性基板进行X射线光电子能谱分析，获得所述透光性基板中的Si2p窄谱的光电子强度的最大峰PSi_s，此时，用所述含氮层中的最大峰PSi_f除以所述透光性基板中的最...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180222 JP 2018-0294281.一种掩模坯料，其在透光性基板上具备相移膜，
所述相移膜至少包含含氮层和含氧层，
所述含氧层由含有硅和氧的材料形成，或者由含有选自半金属元素及非金属元素中的1种以上元素、氧及硅的材料形成，
所述含氮层由含有硅和氮的材料形成，或者由含有选自非金属元素及半金属元素中的1种以上元素、氮及硅的材料形成，
对所述含氮层进行X射线光电子能谱分析，获得所述含氮层中的Si2p窄谱的光电子强度的最大峰PSi_f，并对所述透光性基板进行X射线光电子能谱分析，获得所述透光性基板中的Si2p窄谱的光电子强度的最大峰PSi_s，此时，用所述含氮层中的最大峰PSi_f除以所述透光性基板中的最大峰PSi_s而得到的数值(PSi_f)/(PSi_s)为1.09以下。
2.根据权利要求1所述的掩模坯料，其中，
所述含氮层的氮的含量为50原子％以上。
3.根据权利要求1或2所述的掩模坯料，其中，
所述含氧层的氮及氧的总含量为50原子％以上。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的掩模坯料，其中，
所述含氧层的氧的含量为15原子％以上。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的掩模坯料，其中，
所述Si2p窄谱中的光电子强度的最大峰是键能为96[eV]以上且106[eV]以下的范围内的最大峰。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的掩模坯料，其中，
在所述X射线光电子能谱分析中对所述相移膜照射的X射线为AlKα射线。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的掩模坯料，其中，
用所述含氮层中的Si3N4键的存在数除以Si3N4键、SiaNb键、Si-Si键、Si-O键及Si-ON键的总存在数而得到的比率为0.88以上，其中，b/[a+b]＜4/7。
8.根据权利要求1～7中任一项所述的掩模坯料，其中，
所述相移膜具有下述功能：
使ArF准分子激光的曝光光以10％以上的透射率透过的功能、以及
使透过所述相移膜后的所述曝光光和仅在与所述相移膜的厚度相同距离的空气中通过后的所述曝光光之间产生150度以上且200度以下的相位差的功能。
9.根据权利要求1～8中任一项所述的掩模坯料，其在所述相移膜上具备遮光膜。
10.一种相移掩模，其在透光性基板上具备形成有转印图案的相移膜，<...
【专利技术属性】
技术研发人员：前田仁，大久保亮，堀込康隆，
申请(专利权)人：HOYA株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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