光掩模坯料、光掩模及光掩模的制造方法技术

本发明专利技术的目的是提供一种具有良好的晶圆转印特性和耐照射性的光掩模坯料和光掩模。光掩模坯料(200)是为了制作曝光波长193nm的光掩模所使用的光掩模坯料(200)，所述光掩模坯料(200)具备：透光性基板(103)；形成在该透光性基板(103)上且带来相移效应的相移膜(102)，相移膜(102)对曝光光的透光率为30％以上；和形成在该相移膜(102)上的遮光膜(101)。相移膜(102)是通过层叠使用了氮化硅系材料的第1相移膜(102b)、和使用了氮氧化硅系材料的第2相移膜(102a)而构成的，所述第1相移膜(102b)的折射率n

Photomask blank, photomask and manufacturing method of photomask

The invention aims to provide a photomask blank and photomask with good wafer transfer characteristics and irradiation resistance. The photomask blank (200) is a photomask blank (200) used for making a photomask with an exposure wavelength of 193nm. The photomask blank (200) comprises a light transmitting substrate (103), a phase-shifting film (102) formed on the light transmitting substrate (103) with phase-shifting effect, the light transmittance of the phase-shifting film (102) to the exposure light is more than 30%, and a light shielding film (101) formed on the phase-shifting film (102). The phase-shifting film (102) is formed by laminating the first phase-shifting film (102b) using the silicon nitride system material and the second phase-shifting film (102a) using the silicon nitride system material. The refractive index n of the first phase-shifting film (102b)

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】光掩模坯料、光掩模及光掩模的制造方法
本专利技术涉及在半导体器件等的制造中所使用的光掩模坯料、光掩模及光掩模的制造方法。
技术介绍
作为在抗蚀剂材料中形成微细的图案图像的技术，已知有以下述方式进行的光掩模制造装置和制造方法：在涂布有光致抗蚀剂的光掩模坯料上描绘原画图案，在曝光后进行热处理，之后通过显影以制作抗蚀剂图案。接下来，以抗蚀剂图案作为掩模而蚀刻遮光膜和相移膜。遮光膜为(例如)在铬膜中加入了氧、氮、碳的膜，相移膜为(例如)在硅、氮、氧中加入钼等的过渡金属而形成的膜。近年来，伴随着LSI的高集成化，在半导体器件制造中使用的曝光光源进行了从KrF准分子激光器(波长248nm)向ArF准分子激光器(波长193nm)的短波长化。根据光能E和波长λ的关系式E＝hc/λ(h：普朗克常数，c为光的速度)，光源的短波长化表示每一个光子的能量增大。从能量状态的观点出发，表示光掩模暴露在更容易发生化学反应的状态下，引起在使用曝光波长248nm的晶圆制造步骤中不会成为问题的现象。特别成为问题的是曝光中的掩模图案尺寸变动。随着照射到掩模上本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光掩模坯料，其是为了制作适应波长193nm的曝光光的光掩模所使用的光掩模坯料，其特征在于，/n所述光掩模坯料包括：/n透光性基板；/n形成在该透光性基板上且带来相移效应的相移膜；和/n形成在所述相移膜上的遮光膜，/n所述相移膜是通过层叠使用了氮化硅系材料的第1相移膜、和使用了氮氧化硅系材料的第2相移膜而构成的，/n所述相移膜对所述曝光光的透光率为30％以上，/n所述第1相移膜的折射率n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170403 JP 2017-0734981.一种光掩模坯料，其是为了制作适应波长193nm的曝光光的光掩模所使用的光掩模坯料，其特征在于，
所述光掩模坯料包括：
透光性基板；
形成在该透光性基板上且带来相移效应的相移膜；和
形成在所述相移膜上的遮光膜，
所述相移膜是通过层叠使用了氮化硅系材料的第1相移膜、和使用了氮氧化硅系材料的第2相移膜而构成的，
所述相移膜对所述曝光光的透光率为30％以上，
所述第1相移膜的折射率n1为2.5以上2.75以下，所述第2相移膜的折射率n2为1.55以上2.20以下，
所述第1相移膜的衰减系数k1为0.2以上0.4以下，所述第2相移膜的衰减系数k2大于0且为0.1以下。


2.根据权利要求1所述的光掩模坯料，其中所述相移膜是在形成在所述透光性基板上的所述第1相移膜上层叠所述第2相移膜而成的。


3.根据权利要求1或2所述的光掩模坯料，其中所述相移膜的总膜厚大于70nm且为114nm以下。


4.根据权利要求1至3中任一项所述的光掩模坯料，其中所述相移膜的所述第1相移膜的膜厚D1和所述第2相移膜的膜厚D2存在下列关系：
D1(nm)>-0.5·D2(nm)+45nm且
D1(nm)<-0.5·D2(nm)+75nm。


5.根据权利要求1至4中任一项所述的光掩模坯料，其中所述遮光膜在氟系干式蚀刻中实质上不被蚀刻，而在包含氧的氯系干式蚀刻中能够进行蚀刻，所述遮光膜的铬含量为20原子％以上。


6.一种光掩模，其是适应波长193nm的曝光光的光掩模，其特征在于，
所述光掩模具备：透光性基板和电路图案，该电路图案为在层叠在该透光性基板上的相移膜中所形成的图案，
所述相移膜是通过层叠使用了氮化硅系材料的第1相移膜、和使用了氮氧化硅系材料的第2相移膜而构成的，
所述相移膜对所述曝光光的透光率为30％...

【专利技术属性】
技术研发人员：坂本好史，小岛洋介，长友达也，
申请(专利权)人：凸版印刷株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP