掩模坯料、转印用掩模以及半导体器件的制造方法技术

掩模坯料(10)在透光性基板(1)上层叠有利用由硅和氮构成的材料形成的相移膜(2)、遮光膜(3)以及硬掩模膜(4)，其中，在通过二次离子质量分析法对相移膜进行分析而取得硅的二次离子强度的深度方向的分布时，相移膜的除了基板附近区域与表层区域之外的内部区域中的硅的二次离子强度[Counts/sec]在朝向透光性基板侧的方向上相对于深度[nm]的斜率小于150[(Counts/sec)/nm]。

Manufacturing method of mask blank, transfer mask and semiconductor device

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】掩模坯料、转印用掩模以及半导体器件的制造方法
本专利技术涉及掩模坯料、转印用掩模以及使用该转印用掩模的半导体器件的制造方法。本专利技术特别涉及适合将波长200nm以下的短波长光用作曝光用光的情况的掩模坯料、转印用掩模以及半导体器件的制造方法。
技术介绍
一般来说，在半导体器件的制造工序中，使用光刻法进行微细图案的形成。另外，该微细图案的形成中通常使用几张被称为转印用掩模(光掩模)的基板。该转印用掩模一般来说是在透光性的玻璃基板上设有由金属薄膜等构成的微细图案。该转印用掩模的制造中也使用光刻法。该转印用掩模由于是用于大量转印相同的微细图案的原版，因此形成于转印用掩模上的图案的尺寸精度直接影响使用该转印用掩模制作的微细图案的尺寸精度。近年来，半导体器件的图案的微细化正在显著发展，与之相应地，除了要求形成于转印用掩模的掩模图案的微细化之外，还要求比该图案精度更高的图案。另一方面，除了转印用掩模的图案的微细化之外，光刻中使用的曝光用光源波长的短波长化也在不断发展。具体而言，作为半导体器件制造时的曝光用光源，近年来，正在从KrF准分子激光(波长2本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种掩模坯料，该掩模坯料在透光性基板上具备用于形成转印图案的薄膜，其特征在于，/n所述薄膜利用由硅和氮构成的材料形成，或者利用由选自半金属元素以及非金属元素的一种以上的元素、硅和氮构成的材料形成，/n对于所述薄膜，在通过二次离子质量分析法进行分析而取得硅的二次离子强度的深度方向的分布时，除所述薄膜的与所述透光性基板的边界面的附近区域和所述薄膜的与所述透光性基板相反的一侧的表层区域之外的内部区域中的硅的二次离子强度[Counts/sec]在朝向透光性基板侧的方向上相对于深度[nm]的斜率小于150[(Counts/sec)/nm]。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170921 JP 2017-1813041.一种掩模坯料，该掩模坯料在透光性基板上具备用于形成转印图案的薄膜，其特征在于，
所述薄膜利用由硅和氮构成的材料形成，或者利用由选自半金属元素以及非金属元素的一种以上的元素、硅和氮构成的材料形成，
对于所述薄膜，在通过二次离子质量分析法进行分析而取得硅的二次离子强度的深度方向的分布时，除所述薄膜的与所述透光性基板的边界面的附近区域和所述薄膜的与所述透光性基板相反的一侧的表层区域之外的内部区域中的硅的二次离子强度[Counts/sec]在朝向透光性基板侧的方向上相对于深度[nm]的斜率小于150[(Counts/sec)/nm]。


2.根据权利要求1所述的掩模坯料，其特征在于，
所述表层区域是所述薄膜中的从与所述透光性基板相反的一侧的表面朝向所述透光性基板侧到达10nm的深度的范围的区域。


3.根据权利要求1或2所述的掩模坯料，其特征在于，
所述附近区域是从与所述透光性基板的分界面朝向所述表层区域侧到达10nm的深度的范围的区域。


4.根据权利要求1至3中任一项所述的掩模坯料，其特征在于，
所述硅的二次离子强度的深度方向的分布是在一次离子种类为Cs+、一次加速电压为2.0kV、且一次离子的照射区域为一边为120μm的四边形的内侧区域的测定条件下取得的。


5.根据权利要求1至4中任一项所述的掩模坯料，其特征在于，
所...

【专利技术属性】
技术研发人员：前田仁，宍户博明，
申请(专利权)人：HOYA株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP