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本发明涉及一种掩模坯料，在其透光性基板上具备的相移膜至少包含含氮层和含氧层，含氮层由氮化硅类材料形成，含氧层由氧化硅类材料形成，对含氮层进行X射线光电子能谱分析，获得Si2p窄谱的光电子强度的最大峰PSi_f，并对透光性基板进行X射线光电子...
该专利属于HOYA株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过HOYA株式会社授权不得商用。

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