【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及半导体制造等中使用的EUV(Extreme Ultra Violet 极端紫外)光刻 用反射型掩模基板(下面，在本说明书中称作“EUV掩模基板”)。以及在该EUV掩模基板的 吸收体层上形成掩模图案而获得的EUV光刻用反射型掩模(下面，在本说明书中称作“EUV 掩模”)。
技术介绍
以往，在半导体产业中，作为在Si衬底等上形成由微细图案构成的集成电路时必 不可少的微细图案的转印技术，使用的是采用可见光或紫外光的光刻法。但是，半导体器件 的微细化正不断加快，正逐渐接近现有的光刻法的极限。已知对于光刻法，图案的解析度极 限是曝光波长的1/2左右，即使使用浸没法，图案的解析度极限也只是曝光波长的1/4左 右，可以预见即使使用ArF激光(193匪)的浸没法，极限也在45nm左右。于是，作为45nm 以下的曝光技术，采用波长比ArF激光更短的EUV光的曝光技术、即EUV光刻被寄予厚望。 本说明书中，EUV光是指软X射线区域或真空紫外线区域的波长的光线，具体是指波长10 20nm左右、特别是13. 5nm士 0. 3nm左右的光线。EUV光容易被各种物质吸收，...
【技术保护点】
ＥＵＶ光刻（ＥＵＶＬ）用反射型掩模，在衬底上具有掩模图案区域和位于该掩模图案区域的外侧的ＥＵＶ光吸收区域，所述掩模图案区域中在所述衬底上具有反射ＥＵＶ光的反射层，该反射层上具有包括吸收ＥＵＶ光的吸收体层的部位和不包括所述吸收体层的部位，包括所述吸收体层的部位和不包括所述吸收体层的部位的配置形成掩模图案，其特征在于，来自所述吸收体层表面的ＥＵＶ反射光的反射率为５～１５％，来自所述ＥＵＶ光吸收区域表面的ＥＵＶ反射光的反射率在１％以下。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
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