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本发明提供来自掩模图案区域外侧的区域的反射光所造成的影响得到抑制的ＥＵＶ掩模及用于该ＥＵＶ掩模的制造的ＥＵＶ掩模基板。ＥＵＶ光刻（ＥＵＶＬ）用反射型掩模在衬底上具有掩模图案区域和位于该掩模图案区域的外侧的ＥＵＶ光吸收区域，所述掩模图案区域中...
该专利属于旭硝子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过旭硝子株式会社授权不得商用。

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