【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及半导体装置。
技术介绍
近年来，使用了 InGaN系的半导体的发光二极管(LED)的研究开发正在推进(参 照专利文献1)。但是，在使用了 InGaN系的半导体的发光二极管中，存在难以获得发光效率 高的高亮度的绿色的问题。专利文献1 特开2002-43618号公报。
技术实现思路
本专利技术的目的提供可以获得发光效率高的发光二极管的半导体装置。本专利技术的一方面的半导体装置，具备基底层；以及发光层，其形成于前述基底层 上，并交替地层叠有由InAKiaN形成的势垒层和由InGaN形成的量子阱层。根据本专利技术，能够提供可以获得发光效率高的发光二极管的半导体装置。附图说明图1是示意地表示本专利技术的第1实施方式的半导体装置的基本的结构的剖面图。图2是关于本专利技术的第1实施方式、示意地表示发光层的详细的结构的剖面图。图3是表示晶格常数与带隙的关系的图。图4是表示本专利技术的第1实施方式的半导体装置的测定结果的图。图5是表示本专利技术的第1实施方式的第1比较例的半导体装置的测定结果的图。图6是表示本专利技术的第1实施方式的第2比较例的半导体装置的测定结果的图...
【技术保护点】
１．一种半导体装置，其特征在于，具备：基底层；以及发光层，其形成于前述基底层上，并交替地层叠有由ＩｎＡｌＧａＮ形成的势垒层和由ＩｎＧａＮ形成的量子阱层。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
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