温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供一种半导体装置，其具备：基底层（２０）；以及发光层（３０），其形成于基底层（２０）上，并交替地层叠有由ＩｎＡｌＧａＮ形成的势垒层和由ＩｎＧａＮ形成的量子阱层。...
该专利属于株式会社东芝所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社东芝授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。