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用于可重构逻辑电路的电子器件制造技术

技术编号:7142947 阅读:163 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术涉及一种电子器件,其包括彼此电耦合的场效应晶体管和电阻开关,其中所述电阻开关被构造来在低电阻状态和高电阻状态之间切换。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于可重构逻辑电路的电子器件本专利技术涉及用于电子器件,并且具体而言,涉及用于诸如场可编程门阵列的逻辑 电路中的电子器件。自从20世纪60年度初以来,电子产品的周转时间已经被不断地缩短。这导致创 造利润的周期缩短,并且导致对于允许缩短新产品的开发时间以及减小生产成本的可重构 电子电路的需要增大。场可编程门阵列(FPGAs)常用于形成可重构器件。场可编程门阵列是包含可编程 逻辑部件和可编程互连的半导体器件,其中,所述可编程逻辑部件可以被编程以执行基本 的逻辑门的功能,诸如AND和M)R,更复杂的组合功能,诸如解码器或数学功能。FPGAs还可 以包括存储器元件。可编程互连允许在FPGAs被制造之后根据需要的逻辑部件的互连实现 任意逻辑功能。FPGAs是通用处理器和物理优化宏之间的良好折衷口]。但是,已知FPGAs在集成 密度、速度和能效方面的性能还太低,不能在众多产品中使用。在附图说明图1中概述了用于实现可重构性的常用可编程逻辑阵列(PLA)。其由两个交叉 开关阵列(crossbar)构成。上部的交叉开关阵列是所谓的“AND”平面,下部的交叉开关阵 列是“OR”平面。交叉开关阵列由多个二极本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.电子器件,包括:彼此电耦合的场效应晶体管(1)和电阻开关(17),其中所述电阻开关(17)被构造来在低电阻状态和高电阻状态之间切换。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员:瑞内·怀兹
申请(专利权)人:索尼公司
类型:发明
国别省市:JP

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