纳米级电子开关器件的控制层制造技术

公开了一种用于纳米级电子控制器件（１０）的接点内的控制层（２６，２６’，２８，２８’，２８”）。该控制层（２６，２６’，２８，２８’，２８”）包括与纳米级开关器件（１０）中的一连接层（１６）和至少一电极（１２，１４）化学兼容的材料。该控制层（２６，２６’，２８，２８’，２８”）经调整可控制器件（１０）操作期间电化学反应途径，电物理反应途径，以及它们的组合中的至少一种。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】纳米级电子开关器件的控制层
技术介绍
本公开内容一般涉及纳米级电子设备，更具体地涉及纳米级电子开 关器件中的控制层。已知的电子开关器件包括两个电极(例如底电极和顶电极)以及位 于两个电极接点的一电子开关层/膜。这种器件例如可用于制作基于电子 开关的器件，例如用于信号通路和通讯的分子导线交错内部互连(molecular wire crossbar interconnects ),分子导线交错内存(mdecular wire crossbar memory)，应用了可编程逻辑阵列的分子导线交错逻辑 (molecular wire crossbar logic ),用于分子导线交4普网络的多路复用器 /多路信号分离器，分子导线晶体管等。这种器件例如还可进一步用于制 作基于光学开关的器件，例如显示器，电子书，可重写媒体，电调谐光 学透镜，用于窗户和镜子的电控制着色，光学交错开关(例如用于从多 个输入通道中的一个到多个输出通道的一个路由信号)等。对于电子开关器件制造中使用的材料的选择由于一些电极材料可 能会与 一些开关材料出现基本上的不兼容而受到限制。这里所用的术语 "不兼容，，是指电极和开关材料本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于纳米级电子开关器件（１０）的接点的控制层（２６，２６’，２８，２８’，２８”），该控制层（２６，２６’，２８，２８’，２８”）包括与连接层（１６）和该纳米级开关器件（１０）的至少一个电极（１２，１４）化学兼容的材料，该控制层（２６，２６’，２８，２８’，２８”）经调整可控制器件（１０）操作期间电化学反应途径，电物理反应途径，以及它们的组合中的至少一种。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：D斯图尔特，DA奥尔伯格，RS威廉斯，PJ屈克斯，
申请(专利权)人：惠普开发有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]