气体输送装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种用于在基底位置处的低压原子层沉积的气体输送装置。所述装置包括第一总体细长的喷射器（２１），用于将处理气体供给至处理部位（２２）；位于所述处理部位（２２）周围的第一排气部位（２３）；和位于所述第一排放气体周围的另一喷射器（２５），用于将净化气体或惰性气体在所述处理部位（２２，２４）周围的出口（２６）处供给，所述处理部位面对所述出口周围的位置，以限定至少部分气体密封。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种气体输送装置和用于低压原子层沉积中的处理室以及用于执行低压原子层沉积的方法。
技术介绍
原子层沉积(ALD)的过程是公知的。其主要包括沉积化学层以使得第一单层被化学吸收到基底的表面中，接着使用纯净气体吹掉多余的材料，所述纯净气体也可以用于净化所述处理室以使得可以铺设可能具有相同或不同的化学性质的另一单层。ALD可以在大气或低压条件下进行。在大气压下，由于需要克服环境压强，因此必须供给大量的气体，而且所得到的气体流速(flow rate)表明基底趋向于与气体逐渐蔓延所在位置上方的线或锥相遇。相反，在低压条件下，可以以较低的流速供给较少量的气体， 允许气体扩散而直至基底的整个表面可以被同时处理。相应地，出于经济性和均勻性的原因，低压ALD具有很大优势，但是非常不同的流动特性意味着对于大气ALD所设计的方法和技术不能被自动地用在低压ALD配置中。为了满足期限要求，大多数ALD，不论大气ALD还是低压ALD，在单一的晶片上进行。对于大多数沉积过程，假定能够保持均勻性，如果可以实现批量处理，则会获得巨大的经济性优势。已经提出了可以实现批量ALD的多种方案。US6821563本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种用于在基底位置上进行低压原子层沉积的气体输送装置，包括：第一总体细长的喷射器，用于将处理气体供给至处理部位；位于所述处理部位周围的第一排气部位；和位于所述第一排放气体周围的另一喷射器，用于在所述处理部位周围的出口处供给净化气体或惰性气体，所述处理部位具有面对所述出口周围的位置的壁，以限定至少部分气体密封。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：约翰·迈克尔，
申请(专利权)人：SPP处理技术系统英国有限公司，
类型：发明
国别省市：GB