【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及利用相变存储器以及独立的字线和搜索线访问元件对内容可寻址存储器进行编程。
技术介绍
内容可寻址存储器(CAM)是在高速搜索应用中采用的一类计算机存储器。多数 CAM器件使用配置为静态随机访问存储器(SRAM)的晶体管和用于匹配操作的附加晶体管电路。通常，在这些CAM器件中，搜索线访问晶体管和字线访问晶体管是对存储器阵列中的个体存储器单元进行操作和编程所必需的。搜索线访问晶体管和字线访问晶体管经常包括功率密集型大驱动场效应晶体管(FET)。相变(phase change)材料也可以用来在CAM器件中存储信息。相变材料可被操控为不同相位或者状态而每个相位代表不同数据值。一般而言，每个相位表现不同电性质。 非结晶和结晶相位通常是用于二元数据储存(1和0)的两个相位，因为它们具有可检测的阻抗差。具体而言，非结晶相位具有比结晶相位更高的阻抗。在CAM设计中使用阻抗式存储器元件(诸如相变存储器)时的一个难点是个体存储器单元的尺寸和必须使用的线(搜索线、字线、位线、匹配线及其互补线)的数目。因此， 设计需要更少线的CAM器件是有益的。此外，设计也可以存储三元数据...
【技术保护点】
１．一种用于存储三元数据值的内容可寻址存储器阵列中的存储器单元，所述三元数据值为低、高和随意之一，所述存储器单元包括：第一存储器元件，配置用于在所述三元数据值为低的情况下存储低阻态，以及在所述三元数据值为高或者随意的情况下存储高阻态，所述高阻态在阻抗上比所述低阻态高至少一个量级；第二存储器元件，配置用于在所述三元数据值为高的情况下存储所述低阻态，以及在所述三元数据值为低或者随意的情况下存储所述高阻态；以及匹配线，其在并联电路中电耦合所述第一存储器元件和所述第二存储器元件。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
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