绝缘膜材料、使用该绝缘膜材料的成膜方法和绝缘膜技术

本发明专利技术的等离子体ＣＶＤ用绝缘膜材料由具有彼此键合并与硅原子一起形成环状结构的两个烃基或一个以上支链烃基的硅化合物构成，所述支链烃基中，作为与硅原子键合的碳原子的α碳构成亚甲基，且作为与该亚甲基键合的碳原子的β碳或作为与该β碳键合的碳原子的γ碳为分支点。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及对半导体装置的层间绝缘膜等有用的绝缘膜材料、其成膜方法和形成的绝缘膜，能够得到介电常数低且具有耐等离子体性的绝缘膜。本申请基于2009年2月6日在日本申请的日本特愿2009-(^6122号和2009年7 月30日在日本申请的日本特愿2009-178360号主张优先权，在此引用其内容。
技术介绍
伴随着半导体装置的高集成化，配线层被微细化。但是，在微细的配线层中，信号延迟的影响变大，妨碍了信号传送速度的高速化。该信号延迟与配线层的电阻和配线层间容量成比例，因而为了实现高速化，配线层的低电阻化和配线层间容量的降低是必须的。因此，最近作为构成配线层的材料，从以往的铝使用电阻率低的铜，为了进一步降低配线层间容量，使用相对介电常数低的层间绝缘膜。例如，尽管SiA膜具有4. USiOF膜具有3. 7的相对介电常数，但使用相对介电常数更低的SiOCH膜或有机膜。此外，形成多层配线结构的过程中，对绝缘膜实施所谓的蚀刻工序、洗净工序、研磨工序的处理。在进行这些处理时，为了防止损伤绝缘膜，要求绝缘膜的机械强度高(例如参照专利文献1)。三甲基硅烷、二甲基二甲氧基硅烷(DMDMOS)、八甲基本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种等离子体ＣＶＤ用绝缘膜材料，所述等离子体ＣＶＤ用绝缘膜材料由具有彼此键合并与硅原子一起形成环状结构的两个烃基或一个以上支链烃基的硅化合物构成，所述支链烃基中，作为与硅原子键合的碳原子的α碳构成亚甲基，且作为与该亚甲基键合的碳原子的β碳或作为与该β碳键合的碳原子的γ碳为分支点。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：田岛畅夫，
申请(专利权)人：独立行政法人物质·材料研究机构，
类型：发明
国别省市：JP