【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】荧光体及其制备方法、发光装置及图像显示装置
本专利技术涉及荧光体、其制备方法及其用途。该荧光体至少包含含有Li元素、A元素、D元素、X元素(A为选自Mg、Ca、Sr、Ba、Sc、Y、La的一种或两种以上的元素;D为选自Si、Ge、Sn、Ti、Zr、Hf的一种或两种以上的元素;E为选自B、Al、Ga、In的至少一种元素;X为选自O、N、F的至少一种元素)的由Li1Ba2Al1Si7N12所示的结晶、具有与Li1Ba2Al1Si7N12所示的结晶相同的结晶结构的无机结晶(例如,由(Li,A)3(D,E)8X12所示的结晶)、或者这些结晶的固溶体结晶中,固溶有M元素(其中,M为选自Mn、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Yb的一种或两种以上的元素)的无机化合物。
技术介绍
荧光体被用于真空荧光显示器(VFD(Vacuum-FluorescentDisplay))、场发射显示器(FED(FieldEmissionDisplay))或表面传导电子发射显示器(SED(Surface-ConductionElectron-EmitterDisplay))、等离子显示器面板(PDP(PlasmaDisplayPanel))、阴极射线管(CRT(Cathode-RayTube))、液晶显示器背光光源(Liquid-CrystalDisplayBacklight)、白色发光二极管(LED(Light-EmittingDiode))等。在这些的任一用途中,为了使荧光体发光,都需要向荧光体提供用于激发荧光体的能量。荧光体可以由真空紫外线、紫外线、电子束、蓝色光等具有高能量 ...
【技术保护点】
一种荧光体,至少包含含有Li元素、A元素、D元素、E元素、X元素(A为选自Mg、Ca、Sr、Ba、Sc、Y、La的一种或两种以上的元素;D为选自Si、Ge、Sn、Ti、Zr、Hf的一种或两种以上的元素;E为选自B、Al、Ga、In的一种或两种以上的元素;X为选自O、N、F的一种或两种以上的元素)的由Li1Ba2Al1Si7N12所示的结晶、具有与Li1Ba2Al1Si7N12所示的结晶相同的结晶结构的无机结晶中固溶有M元素(其中,M为选自Mn、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Yb的至少一种元素)的无机化合物。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2012.06.27 JP 2012-1438921.一种荧光体,至少包含含有Li元素、A元素、D元素、E元素、X元素的由Li1Ba2Al1Si7N12所示的结晶、具有与Li1Ba2Al1Si7N12所示的结晶相同的结晶结构的无机结晶、或者这些结晶的固溶体结晶中,固溶有M元素的无机化合物,其中,A为选自Mg、Ca、Sr、Ba、Sc、Y、La的一种或两种以上的元素;D为选自Si、Ge、Sn、Ti、Zr、Hf的一种或两种以上的元素;E为选自B、Al、Ga、In的一种或两种以上的元素;X为选自O、N、F的一种或两种以上的元素;M为选自Mn、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Yb的至少一种元素,具有与所述Li1Ba2Al1Si7N12所示的结晶相同的结晶结构的无机结晶为正交晶系的结晶,并且具有空间群Pnnm的对称性,晶格常数a、b、c为a=1.40941±0.05nmb=0.48924±0.05nmc=0.80645±0.05nm的范围的值。2.根据权利要求1所述的荧光体,其中,具有与所述Li1Ba2Al1Si7N12所示的结晶相同的结晶结构的无机结晶是由(Li,A)3(D,E)8X12所示的结晶,该结晶至少在A元素中包含Ba,在D元素中包含Si,在E元素中包含Al,在X元素中包含N,在X元素中包含或不包含O。3.根据权利要求1所述的荧光体,其中,具有与所述Li1Ba2Al1Si7N12所示的结晶相同的结晶结构的无机结晶是Li1(Ba,La)2(Al,Si)8(O,N)12、Li1(Ba,Sr)2(Al,Si)8(O,N)12、或Li1Ba2(Al,Si)8(O,N)12。4.根据权利要求1所述的荧光体,其中,具有与所述Li1Ba2Al1Si7N12所示的结晶相同的结晶结构的无机结晶由Li1Ba2Si7-xAl1+xOxN12-x、Li1(Ba,La)2Si7-xAl1+xOxN12-x、或Li1(Ba,Sr)2Si7-xAl1+xOxN12-x的组成式表示,其中,0≦x≦4。5.根据权利要求1所述的荧光体,其中,所述M元素为Eu。6.根据权利要求1所述的荧光体,其中,具有与所述Li1Ba2Al1Si7N12所示的结晶相同的结晶结构的无机结晶为正交晶系的结晶。7.根据权利要求1所述的荧光体,其中,所述无机化合物由组成式LizMdAeDfEgXh所表示,并且由参数z、d、e、f、g、h满足0.035≦z≦0.050.00001≦d≦0.050.05≦e≦0.10.2≦f≦0.40.03≦g≦0.10.45≦h≦0.6的所有条件的范围的组成所表示,其中,公式中z+d+e+f+g+h=1,并且M为选自Mn、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Yb的一种或两种以上的元素;A为选自Mg、Ca、Sr、Ba、Sc、Y、La的一种或两种以上的元素;D为选自Si、Ge、Sn、Ti、Zr、Hf的一种或两种以上的元素;E为选自B、Al、Ga、In的一种或两种以上的元素;X为选自O、N、F的一种或两种以上的元素。8.根据权利要求7所述的荧光体,其中,所述参数z、d、e、f、g、h为满足z+d+e=(3/23)±0.05f+g=(8/23)±0.05h=(12/23)±0.05的所有条件的范围的值。9.根据权利要求7所述的荧光体,其中,所述参数f、g满足5/8≦f/(f+g)≦8/8的条件。10.根据权利要求7所述的荧光体,其中,所述X元素包含O和N,所述无机化合物由组成式LizMdAeDfEgOh1Nh2所表示,并且满足0/12≦h1/(h1+h2)≦4/12的条件,其中,公式中z+d+e+f+g+h1+h2=1、及h1+h2=h。11.根据权利要求7所述的荧光体,其中,所述M元素至少包含Eu。12.根据权利要求7所述的荧光体,其中,至少A元素包含Ba,D元素包含Si,E元素包含Al,X元素包含N,X元素包含或不包含O。13.根据权利要求1所述的荧光体,其中,所述无机化合物使用参数x和y,并且具有由EuyLi1Ba2-ySi7-xAl1+xN12-xOx、EuyLi1(Ba,La)2-ySi7-xAl1+xN12-xOx、或EuyLi1(Ba,Sr)2-ySi7-xAl1+xN12-xOx其中,0≦x≦4、0.0001≦y≦2所表示的组成。14.根据权利要求1所述的荧光体,其中,所述无机化合物是平均粒径为0.1μm以上且20μm以下的单晶颗粒或单晶的聚集体。15.根据权利要求1所述的荧光体,其中,所述无机化合物所含有杂质元素Fe、Co及Ni的总计为500ppm以下。16.根据权利要求1所述的荧光体,其中,除所述无机化合物之外,还包含与所述无机化合物不同的其他的结晶相或非晶相,并且所述无机化合物的含量为20质量%以上。17.根据权利要求16所述的荧光体,其中,所述其他的结晶相或非晶相是具有导电性的无机物质。18.根据权利要求17所述的荧光体,其中,所述具有导电性的无机物质是包含选自Zn、Al、Ga、In、Sn的一种或两种以上的元素的氧化物、氮氧化物、或氮化物、或者这些的混合物。19.根据权利要求16所述的荧光体,其中,所述其他的结晶相或非晶相是与所述无机化合物不同的无机荧光体。20.根据权利要求1所述的荧光体,其中,通过照射激发源,发出在500nm至550nm的范围的波长上具有波峰的荧光。21.根据权利要求20所述的荧光体,其中,所述激发源是具有100nm以上且450nm以下的波长的真空紫外线、紫外线、可见光、或电子束或X射线。22.根据权利要求1所述的荧光体,其中,所述由Li1Ba2Al1Si7N12所示的结晶或具有与所述由Li1Ba2Al1Si7N12所示的结晶相同的结晶结构的无机结晶中,固溶有Eu,在照射波长360nm至450nm的光下发出在500nm以上且550nm以下的范围具有发光波峰的绿色的荧光。23.根据权利要求1所述的荧光体,其中,照射激发源时发出的光的颜色是CIE1931色度坐标上的(x0,y0)的值,并且满足0≦x0≦0.50.1≦y0≦0.9的条件。24.一种荧光体的制备方法,该制备方法是权利要求1所述的荧光体的制备方法,其中,通过灼烧,即,在含有氮气的惰性气氛环境中,在1200℃以上且2200℃以下的温度范围内,对能够构成权利要求1所述的无机化合物的金属化合物的混合物进行灼烧。25.根据权利要求24所述的荧光体的制备方法,其中,所述金属化合物的混合物包括含有Li的化合物、含有M的化合物、含有A的化合物、含...
【专利技术属性】
技术研发人员:广崎尚登,武田隆史,舟桥司朗,成松荣一郎,
申请(专利权)人:独立行政法人物质·材料研究机构,
类型:发明
国别省市:日本;JP
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