高速度低功率消耗的隔离模拟互补金属氧化物半导体单元制造技术

本发明专利技术涉及一种半导体装置（１００），其具有固持ＰＭＯＳ装置（１１０、１１２）的Ｎ－阱区域（１８）及固持ＮＭＯＳ装置（１１４、１１６）的Ｐ型区域（１４）。装置（１１０）及（１１４）具有高阈值，且装置（１１２）及（１１６）具有低阈值。所述ＰＭＯＳ装置通过所述Ｎ－阱（１８）与衬底（１０）结隔离，且所述ＮＭＯＳ装置通过Ｎ型层（１３）与所述衬底隔离。场氧化物区域（２０）横向隔离所述ＰＭＯＳ装置与所述ＮＭＯＳ装置。所述高阈值ＣＭＯＳ装置（１１０、１１４）将所述低阈值ＣＭＯＳ装置连接到相对轨道Ｖｄｄ及Ｖｓｓ。控制端子（１２１）接通所述高阈值装置以使所述低阈值装置快速切换。在备用模式中，所述高阈值装置关断且存在非常低的泄漏电流。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】高速度低功率消耗的隔离模拟互补金属氧化物半导体单元相关申请案交叉参考 本申请案主张2009年2月4日提出申请的第12/365，228号美国专利申请案的优先权日期的权益，所述专利申请案的说明书特此以引用的方式并入本文。
技术介绍
可使用MOSFET技术来制作用于移动、计算、通信及消费型产品的高速度低功率消耗电路。然而，对处置高速度与低功率消耗的要求通常需要基本的折衷。在例如蜂窝电话的移动应用中，高速度与低功率消耗为关键准则。通常，对一种准则进行优化将负面地影响另一准则。低阈值电压(M0SFET的源极与栅极之间的电压，在其出现时，电流首先开始在晶体管中流动)对于高速度MOSFET来说始终为优选的。相对高的阈值电压减少MOSFET关断状态泄漏，且其由于其降低功率消耗而为良好的。然而，高阈值电压装置比低阈值装置更慢地切换。设定高阈值会节省功率但减小速度。如果操作速度为重要的，那么设计者想要具有低阈值电压的装置。设计者熟悉速度与功率之间的折衷。具有高速度与低功率消耗两者将有益于移动产品的设计。
技术实现思路
本专利技术的示范性实施例提供与衬底隔离、以高速度操作且具有低接通电阻的低阈值电压CMOS对。本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种半导体装置，其包括：高阈值及低阈值ＰＭＯＳ装置，其形成于Ｎ型区域上方，所述高阈值ＰＭＯＳ装置具有安置于Ｎ－主体中的Ｐ＋源极，且所述高阈值ＰＭＯＳ的漏极以及所述低阈值ＰＭＯＳ的源极及漏极形成于由Ｎ－缓冲物环绕的Ｐ－缓冲物中；高阈值及低阈值ＮＭＯＳ装置，其形成于Ｐ型区域中，所述高阈值ＮＭＯＳ装置具有安置于Ｐ－主体中的Ｎ＋源极，且所述高阈值ＮＭＯＳ的漏极以及所述低阈值ＮＭＯＳ的源极及漏极形成于由Ｐ－缓冲物环绕的Ｎ－缓冲物中，其中低阈值电压由低阈值晶体管的源极及漏极区域以及其相应的相反极性的环绕区域中的所述缓冲物建立。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡军，
申请(专利权)人：飞兆半导体公司，
类型：发明
国别省市：US