精确对称互补信号产生电路制造技术

本发明专利技术公开了一种精确对称互补信号产生电路，它包括互补信号产生单元、差分调整单元和输出缓冲单元，所述互补信号产生单元包括由串联的第一反相器Ｉ↓［１］和第二反相器Ｉ↓［２］组成的第一支路以及由第三反相器Ｉ↓［３］和传输门Ｇ↓［１］组成的第二支路，所述差分调整单元包括第一ＰＭＯＳ晶体管Ｍ↓［１］、第二ＰＭＯＳ晶体管Ｍ↓［２］以及第一ＮＭＯＳ晶体管Ｍ↓［３］、第二ＮＭＯＳ晶体管Ｍ↓［４］，第二ＰＭＯＳ晶体管Ｍ↓［２］和第二ＮＭＯＳ晶体管Ｍ↓［４］的漏源相连并连结到第一ＰＭＯＳ晶体管Ｍ↓［１］的栅极，第一ＰＭＯＳ晶体管Ｍ↓［１］和第一ＮＭＯＳ晶体管Ｍ↓［３］的漏源相连并连结到第二ＰＭＯＳ晶体管Ｍ↓［２］的栅极，第一ＮＭＯＳ晶体管Ｍ↓［３］和第二ＮＭＯＳ晶体管Ｍ↓［４］的栅极作为输入端。本发明专利技术是一种结构简单、能够产生完全对称互补信号，从而提高产生电路整体性能的精确对称互补信号产生电路。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术主要涉及到高速互补信号的产生电路设计领域，特指一种精确对称互补信号产生电路。
技术介绍
在高速数字电路或模拟电路的设计过程中，通常需要互补的时钟信号或开关信号，如果互补信号不能够精确对称，就会出现时钟重叠和沟道电荷注入效应，导致电路性能下降甚至不能正常工作。传统的互补信号产生电路的结构如图1所示，该电路分为两条支路，一条由两个串联的反相器构成，另一条由一个反相器和一个传输门串联组成。其工作原理为用信号通过传输门G1的时间与反相器I3的时间之和来等效反相器I1的延迟时间与反相器I2的延迟时间之和，以提供时序上完全相同的互补信号输出。这就要求两条支路的延迟要精确一致，然而这在高频下很难做到，因而在传统的互补信号产生电路中两路信号总存在着几十个ps的延迟差。如前面所述，由于这个延迟差的存在，就会引起电路性能的下降，甚至使得电路不能正常工作。
技术实现思路
本专利技术要解决的问题就在于针对现有技术存在的技术问题，本专利技术提供一种结构简单、能够产生完全对称互补信号，从而提高产生电路整体性能的精确对称互补信号产生电路。为解决上述技术问题，本专利技术提出的解决方案为一种精确对称互补信号产生电路，其特征在于它包括互补信号产生单元、差分调整单元和输出缓冲单元，所述互补信号产生单元包括由串联的第一反相器I1和第二反相器I2组成的第一支路以及由第三反相器I3和传输门G1组成的第二支路，所述差分调整单元包括第一PMOS晶体管M1、第二PMOS晶体管M2以及第一NMOS晶体管M3、第二NMOS晶体管M4，第二PMOS晶体管M2和第二NMOS晶体管M4的漏源相连并连结到第一PMOS晶体管M1的栅极，第一PMOS晶体管M1和第一NMOS晶体管M3的漏源相连并连结到第二PMOS晶体管M2的栅极，第一NMOS晶体管M3和第二NMOS晶体管M4的栅极作为输入端，与传统互补信号产生单元的输出相连。所述输出缓冲单元包括两组两级串联的反相器。与现有技术相比，本专利技术的优点就在于1、结构简单本专利技术中提出的电路结构只是在原有技术基础上增加了一级差分结构和两级反相器，可见结构并不复杂。2、性能优良虽然本专利技术提出的结构很简单，但是，本专利技术中提出的电路却可以产生十分精确对称的输出信号，这是现有技术所不可比拟的。3、使用方便由于本专利技术提出的电路结构简单，所以使用十分方便，不会给设计增加复杂度。附图说明图1是传统的互补信号产生电路的示意图；图2是本专利技术的框架结构示意图；图3是本专利技术的电路原理示意图；图4是本专利技术在0.13μm工艺条件以及3GHz的输入条件下的模拟结果示意图。具体实施例方式以下将结合附图和具体实施例对本专利技术做进一步详细说明。如图2和图3所示，本专利技术的精确对称互补信号产生电路包括互补信号产生单元、差分调整单元和输出缓冲单元，互补信号产生单元包括由串联的第一反相器I1和第二反相器I2组成的第一支路以及由第三反相器I3和传输门G1组成的第二支路，该差分调整单元包括第一PMOS晶体管M1、第二PMOS晶体管M2以及第一NMOS晶体管M3、第二NMOS晶体管M4，第二PMOS晶体管M2和第二NMOS晶体管M4的漏源相连并连结到第一PMOS晶体管M1的栅极，第一PMOS晶体管M1和第一NMOS晶体管M3的漏源相连并连结到第二PMOS晶体管M2的栅极，第一NMOS晶体管M3和第二NMOS晶体管M4的栅极作为输入端。该电路的工作原理是用差分对输入电容对传输线信号的延迟作用来消除互补信号在通过传输门支路和反相器支路后产生的几十个ps的传输延迟差，此外差分结构中的正反馈结构也有利于保证互补信号值的相对稳定。本实施例中，输出缓冲单元包括两组两级串联的反相器(I4和I5以及I6和I7)，用来实现信号的整形和缓冲。如图4所示，本专利技术在0.13μm工艺条件以及3GHz的输入条件下的模拟结果，可以看见，本专利技术提出的差分结构的互补信号产生电路的输出信号的共模电压稳定在1.25v，并且输出波形也已经做到完全对称，也就是说本专利技术提出的电路结构消除了传统结构产生的互补信号不对称的问题，能够做到使得产生的互补信号完全对称。权利要求1.一种精确对称互补信号产生电路，其特征在于它包括互补信号产生单元、差分调整单元和输出缓冲单元，所述互补信号产生单元包括由串联的第一反相器I1和第二反相器I2组成的第一支路以及由第三反相器I3和传输门G1组成的第二支路，所述差分调整单元包括第一PMOS晶体管M1、第二PMOS晶体管M2以及第一NMOS晶体管M3、第二NMOS晶体管M4，第二PMOS晶体管M2和第二NMOS晶体管M4的漏源相连并连结到第一PMOS晶体管M1的栅极，第一PMOS晶体管M1和第一NMOS晶体管M3的漏源相连并连结到第二PMOS晶体管M2的栅极，第一NMOS晶体管M3和第二NMOS晶体管M4的栅极作为输入端。2.根据权利要求1所述的精确对称互补信号产生电路，其特征在于所述输出缓冲单元包括两组两级串联的反相器。全文摘要本专利技术公开了一种精确对称互补信号产生电路，它包括互补信号产生单元、差分调整单元和输出缓冲单元，所述互补信号产生单元包括由串联的第一反相器I文档编号H03K5/151GK101087131SQ20071003533公开日2007年12月12日 申请日期2007年7月10日 优先权日2007年7月10日专利技术者杨学军, 王建军, 李少青, 张民选, 陈吉华, 赵振宇, 陈怒兴, 马剑武, 邹金安, 何小威, 欧阳干, 王洪海, 刘征, 唐世民, 王东林 申请人:中国人民解放军国防科学技术大学本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种精确对称互补信号产生电路，其特征在于：它包括互补信号产生单元、差分调整单元和输出缓冲单元，所述互补信号产生单元包括由串联的第一反相器Ｉ↓［１］和第二反相器Ｉ↓［２］组成的第一支路以及由第三反相器Ｉ↓［３］和传输门Ｇ↓［１］组成的第二支路，所述差分调整单元包括第一ＰＭＯＳ晶体管Ｍ↓［１］、第二ＰＭＯＳ晶体管Ｍ↓［２］以及第一ＮＭＯＳ晶体管Ｍ↓［３］、第二ＮＭＯＳ晶体管Ｍ↓［４］，第二ＰＭＯＳ晶体管Ｍ↓［２］和第二ＮＭＯＳ晶体管Ｍ↓［４］的漏源相连并连结到第一ＰＭＯＳ晶体管Ｍ↓［１］的栅极，第一ＰＭＯＳ晶体管Ｍ↓［１］和第一ＮＭＯＳ晶体管Ｍ↓［３］的漏源相连并连结到第二ＰＭＯＳ晶体管Ｍ↓［２］的栅极，第一ＮＭＯＳ晶体管Ｍ↓［３］和第二ＮＭＯＳ晶体管Ｍ↓［４］的栅极作为输入端。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：杨学军，王建军，李少青，张民选，陈吉华，赵振宇，陈怒兴，马剑武，邹金安，何小威，欧阳干，王洪海，刘征，唐世民，王东林，
申请(专利权)人：中国人民解放军国防科学技术大学，
类型：发明
国别省市：43[中国|湖南]