发光和激光作用半导体装置和方法制造方法及图纸

本发明专利技术揭示一种半导体发光装置，其包含：异质结双极型发光晶体管，其具有位于发射极区与集极区之间的基极区；发射极电极、基极电极和集极电极，其分别用于使电信号与所述发射极区、基极区和集极区耦合；以及位于所述基极区中的量子大小区；所述基极区包含位于所述量子大小区的发射极侧上的第一基极子区，和位于所述量子大小区的集极侧上的第二基极子区；且所述第一和第二基极子区具有不对称带结构。还揭示一种从两端半导体结构产生光发射的方法，其包含以下步骤：提供半导体结构，所述半导体结构包含位于第一导电类型的发射极区与同所述第一导电类型相反的第二导电类型的基极区之间的第一半导体结，和位于所述基极区与漏极区之间的第二半导体结；在所述基极区内提供展现量子大小效应的区；提供与所述发射极区耦合的发射极电极；提供与所述基极区和所述漏极区耦合的基极／漏极电极；以及相对于所述发射极电极和基极／漏极电极施加信号以从所述半导体结构获得光发射。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及用于响应于电信号而产生光发射和激光发射的方法和装置。本专利技术的一方面还涉及用于以改进的效率从半导体晶体管装置产生光发射和激光发射的方法。本专利技术的另一方面涉及用于从两端半导体装置产生光发射和激光发射的方法和装置。
技术介绍
本专利技术
技术介绍
的一部分在于宽带隙半导体的开发以实现称为异质结双极型晶体管(HBT)的装置中的较高少数载流子注射效率。这些晶体管装置能够以极高的速度操作。举例来说，近年来，InP HBT已被证明展现500GHz以上速度的操作。本专利技术的
技术介绍
的另一部分在于作为发光晶体管和晶体管激光器而操作的异质结双极型晶体管的开发。可(例如)参考第7，091，082号、第7，观6，583号、第 7，354，780 号和第 7，535，034 号美国专利；第 US2005/0040432 号、第 US2005/0054172 号、第 US2008/0240173号和第US2009/0134939号美国专利申请公开案；以及第W0/2005/020287 号和第W0/2006/093883号PCT国际专利公开案。还可参考以下公开案发光晶体管来自 hGaP/Ga本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种用于改进发光晶体管的操作的方法，其包括以下步骤：提供发光晶体管，其包含发射极、基极和集极半导体区，和所述基极区内的量子大小区，所述基极区包括所述量子大小区的发射极侧上的第一基极子区，和所述量子大小区的集极侧上的第二基极子区；以及向所述第一和第二基极子区提供不对称带结构。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：加布里埃尔·沃尔特，
申请(专利权)人：伊利诺斯大学理事会，
类型：发明
国别省市：US