ＩＴＯ烧结体制造方法以及ＩＴＯ溅射靶制造方法技术

本发明专利技术的目的在于提供能够低成本地制造出高品质的烧结体的ＩＴＯ烧结体制造方法以及ＩＴＯ溅射靶制造方法。本发明专利技术的一实施方式的ＩＴＯ烧结体制造方法包括：通过在容器内一边对以氧化铟和氧化锡作为主成分的烧结片堆进行搅拌使其破碎，而制作出具有第一平均粒径的第一ＩＴＯ粉末的工序。利用介质搅拌磨机或喷射式磨机对所述第一ＩＴＯ粉末进行破碎，由此制作出具有小于所述第一平均粒径的第二平均粒径的第二ＩＴＯ粉末。将氧化铟粉末以及氧化锡粉末与所述第二ＩＴＯ粉末混合起来，并将其混合粉末粉碎，由此出制作具有小于所述第二平均粒径的第三平均粒径的第三ＩＴＯ粉末。在将包含所述第三ＩＴＯ粉末的浆料浇铸于模具中而制作出成形体后，再对成该形体进行烧结。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种例如用作溅射靶的ITO烧结体制造方法以及ITO溅射靶制造方法。
技术介绍
在平板显示器以及太阳能发电组件的制造领域，广泛使用以氧化铟和氧化锡为主成分的ITOandium Tin Oxinde，铟锡氧化物)膜作为透明导电膜。ITO膜是通过真空蒸镀法、溅射法等制成的。在溅射法中，使用由ITO构成的溅射靶。在ITO靶中广泛使用由氧化铟和氧化锡的混合粉末制成的烧结体。尤其近年来，为了实现制造成本的削减，开展了对使用过的ITO靶的再循环利用的研究(例如参照专利文献1 3)。在专利文献1中记载了一种ITO烧结体制造方法，即，在除去应用于溅射成膜后的 ITO靶的表面附着物之后，用自磨粉碎方法使该ITO靶变成粉末，接着使该粉末烧结起来。在专利文献2中公开了一种ITO烧结体的再生方法，即，将变成碎片的ITO烧结体粉碎为0. 5mm以下的颗粒后，将该ITO颗粒与实质上由铟、锡和氧形成的粉末混合起来，其后进行成形以及烧结。在专利文献3中记载了一种ITO烧结体制造方法，即，对ITO再循环利用粉进行热处理，将比表面积调整至2. 5 7. 0m2/g的范围内的粉末利用浆料浇铸成形法来成形，将所获得的成形体干燥后，在氧气环境中进行烧制而成。专利文献1 日本特开平7-316798号公报(第0015段)专利文献2 日本特开平11-100253号公报(第0009段)专利文献3 日本特开平11-228219号公报(第0005段)
技术实现思路
专利技术所需解决的问题为了实现稳定的溅射成膜和形成高质量的薄膜，要求使溅射靶中的组织致密化和均勻化。因此，必须使原料粉末微细化以提高烧结密度。但是，存在如下的问题在制造以使用过的靶作为原料的烧结体时，在作为原料的烧结体的微细化方面增加了成本，而难以低成本地制造出高密度且均质性高的ITO烧结体。鉴于如上所述那样的问题，本专利技术的目的在于提供能够低成本地制造出高品质的烧结体的ITO烧结体制造方法以及ITO溅射靶制造方法。用于解决问题的手段为了达到上述目的，本专利技术的一技术方案的ITO烧结体制造方法包括通过在容器内一边对以氧化铟和氧化锡作为主成分的烧结片堆进行搅拌一边将其破碎，而制作出具有第一平均粒径的第一 ITO粉末的工序。利用介质搅拌磨机或喷射式磨机(Jet mill)对所述第一 ITO粉末进行破碎，由此制作出具有小于所述第一平均粒径的第二平均粒径的第二 ITO粉末。将氧化铟粉末以及氧化锡粉末与所述第二 ITO粉末混合起来，并将其混合粉末粉碎，由此出制作具有小于所述第二平均粒径的第三平均粒径的第三ITO粉末。在将包含所述第三ITO粉末的浆料(slurry)浇铸于模具中而制作出成形体后，再对所述成形体进行烧结。另外，为了达到所述目的，本专利技术的一技术方案的ITO溅射靶制造方法包括通过在容器内对以氧化铟和氧化锡为主成分的烧结片堆一边进行搅拌一边进行破碎，而制作出具有第一平均粒径的第一 ITO粉末的工序。利用介质搅拌磨机或喷射式磨机对所述第一 ITO粉末进行破碎，由此制作出具有小于所述第一平均粒径的第二平均粒径的第二 ITO粉末。将氧化铟粉末以及氧化锡粉末与所述第二 ITO粉末混合起来，并将其混合粉末粉碎，由此制作出具有小于所述第二平均粒径的第三平均粒径的第三ITO粉末。在将包含所述第三 ITO粉末的浆料浇铸于模具中而制作出成形体后，再对所述成形体进行烧结。附图说明图1是表示本专利技术的实施方式的ITO烧结体制造方法的工序流程图。图2是用于说明本专利技术的实施方式中的使用过的靶的分离工序的模式图。图3是用于说明本专利技术的实施方式中的烧结片的准备工序的模式图。图4是用于说明本专利技术的实施方式中的第一 ITO粉末的制作工序的模式图。图5是用于说明本专利技术的实施方式中的第三ITO粉末以及包含该第三ITO粉末的浆料的制作工序的模式图。图6是本专利技术的实施方式中的成形工序中所使用的成形模的模式图，其中，(A)是侧剖视图，(B)是模具主体的俯视图。图7是在本专利技术的实施方式中制作成的烧结体的模式图。 具体实施例方式本专利技术的一实施方式的ITO烧结体制造方法包括制作第一 ITO粉末的工序，该工序将以氧化铟和氧化锡为主成分烧结片堆置于容器内对进行搅拌使其破碎，而制作出具有第一平均粒径的第一 ITO粉末。第一 ITO粉末是多个烧结片在互相间的冲撞作用下，被破碎为具有第一平均粒径(例如2μπι)的大小。所述烧结片堆可以是具有一定形状或无一定形状的现有ITO烧结材料的小片，或者成为将其烧结材料分割为适当形状的分割片。作为烧结材料，可列举在制造ITO烧结产品时不可避地产生的废材或使用过的烧结产品等，作为烧结产品，典型的有ITO溅射靶。在此，在本说明书中，“平均粒径”的含义是指以激光衍射/散射法测定的累计粒度分布百分数％数达到50%时所对应的粒径。另外，平均粒径值采用了由日机装公司(股份)制的激光衍射/散射式粒度分析计(ΜΤ3000ΙΙ)所测出的测定值。所述第一 ITO粉末是通过在树脂容器内将所述烧结片堆破碎而制作出的。由此， 与例如在金属制容器内制作该ITO粉末的情况相比，能够抑制杂质物混入粉末中。当然，在使用了树脂制容器的情况下，其树脂成分也可能混入粉末中，但在脱脂工序或烧结工序中能够使该树脂成分消失。接着，利用介质搅拌磨机或喷射式磨机将所述第一 ITO粉末粉碎，由此制作出具有第二平均粒径(例如0.6 μ m)的第二 ITO粉末。由此，从所述烧结片能够制成更微细的ITO粉末。作为介质搅拌磨机，可列举振动球磨机或棒磨机等。介质搅拌磨机或喷射式磨机可以湿式是也可以是干式。另外，在使用了介质搅拌磨机的情况下，通过采取在作为搅拌介质的球或棒的表面施加树脂涂层的处理，能够有效地抑制杂质物混入粉体中。在本实施方式中，作为介质搅拌磨机，适用振动球磨机。作为喷射式磨机，适用湿式喷射式磨机。接着，将氧化铟粉末和氧化锡粉末与所述第二 ITO粉末混合起来，并将其混合粉末再粉碎，由此制作出具有小于所述第二平均粒径的第三平均粒径(例如0.20μπι 0. 30 μ m)的第三ITO粉末。作为与第二 ITO粉末相互混合的氧化铟粉末和氧化锡粉末，分别使用了未用过的粉末，但并不受限于此。所述氧化铟粉末和氧化锡粉末的平均粒径未作特别限定，能够采用适当的粒径。所述第三ITO粉末能够使用介质搅拌磨机来制作。由此，能够容易制作成平均粒径较微细的ITO粉体。作为介质搅拌磨机，能够适用球磨机以及棒磨机等，而且适用振动球磨机。通过使所述第三ITO粉末的平均粒径(第三平均粒径)达到0.20μπι以上且 0. 30 μ m以下，能够制造出相对密度为99. 8%以上，且组成均勻性优异的高品质的ITO烧结体。所述第三ITO粉末中的所述第二 ITO粉末的混合比率能够达到10重量％以上且 40重量％以下。由此，能够有效地降低ITO烧结体的材料成本。此外，当第二 ITO粉末的混合比率超过40重量％时，则有可能无法获得第三ITO粉末的作为目标的平均粒径、ITO烧结体的作为目标的相对密度和组成。另外，在第二 ITO粉末的混合比率小于10重量％的情况下，则会降低ITO烧结体的材料成本下降效果。接着，将包含所述第三ITO粉末的浆料浇铸于模具中来制作成形体，并对该成形体进行烧结，由此制作出作为目标的本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种ＩＴＯ烧结体制造方法，其中，在容器内对以氧化铟和氧化锡为主成分的烧结片堆进行搅拌，使其破碎，而制作出具有第一平均粒径的第一ＩＴＯ粉末；利用介质搅拌磨机或喷射式磨机对所述第一ＩＴＯ粉末进行破碎，由此制作出具有小于所述第一平均粒径的第二进行烧结。平均粒径的第二ＩＴＯ粉末；将氧化铟粉末以及氧化锡粉末与所述第二ＩＴＯ粉末混合起来，并将其混合粉末粉碎，由此制作出具有小于所述第二平均粒径的第三平均粒径的第三ＩＴＯ粉末；将包含所述第三ＩＴＯ粉末的浆料浇铸于模具中来制作出成形体；再对所述成形体

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：长山五月，
申请(专利权)人：株式会社爱发科，
类型：发明
国别省市：JP