低功耗读出放大器制造技术

本发明专利技术公开了一种低功耗读出放大器，至少包括第一初始电压控制电路、第一传输门电路、读延迟控制电路、译码控制电路以及输出电路，其通过读延迟控制电路控制第一传输门电路的导通或截止，使得本发明专利技术仅在读取存储单元时读出放大器存在功耗，而在不读取存储单元时读出放大器无直流通路不消耗电流，降低了读出放大器的功耗，进而实现了一种适合非接触式通信的超低功耗的读出放大器。

【技术实现步骤摘要】
低功耗读出放大器
本专利技术关于一种用于半导体存储器电路的读出放大器，特别是涉及一种应用于非接触式通信的超低功耗读出放大器。
技术介绍
半导体存储器通常被认为是数字集成电路中非常重要的组成部分，它们对于构建基于微处理器的应用系统发挥着至关重要的作用。近年来人们越来越多地将各种存储器嵌入在处理其内部，以便使处理器具有更高的集成度和更快的工作速度，因此存储器阵列及其外围电路的性能就在很大程度上决定了整个系统的工作状况，包括速度、功耗等。在半导体存储器的各种外围器件中最为重要的就是读出放大器。由于读出放大器通常被用来在对存储单元进行读操作时采样位线上的微小信号变化并进行放大，从而确定相应存储单元的存储信息，因此读出放大器对于存储器的存取时间有着决定性的影响。而对于非接触式应用，读出放大器的功耗相当关键，它直接决定通信质量和通信距离，若读出放大器功耗大则会使通信距离缩短，严重时会使通信时误码率升高甚至不能通信。申请日为2003年10月14日的美国专利申请US685371揭示了一种E2PROM的读出放大器，如图1所示，在该专利中，读出放大器204始终处于工作状态。在存储单元200不工作时，因位本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种低功耗读出放大器，用于将存储单元的信息放大输出，其至少包括：第一初始电压控制电路，其连接于一电源电压及一初始电压控制信号，以在该初始电压控制信号的控制下将该电源电压输出；读延迟控制电路，连接于一读控制信号及一互补读控制信号，以在该读控制信号及该互补读控制信号控制下产生一读延迟控制信号及一互补读延迟控制信号；第一传输门电路，连接于该第一初始电压控制电路输出端与一译码控制电路之间，同时该第一传输门电路还连接于一该读延迟控制电路的输出端，以在该读延迟控制信号与该互补读延迟控制信号的控制下导通或截止；译码控制电路，用于控制存储单元的访问，包括多个串联的ＭＯＳ管，其一端连接该存储单元，另一端连接...

【技术特征摘要】
1.一种低功耗读出放大器，用于将存储单元的信息放大输出，其至少包括:第一初始电压控制电路，其连接于一电源电压及一初始电压控制信号，以在该初始电压控制信号的控制下将该电源电压输出；读延迟控制电路，连接于一读控制信号及一互补读控制信号，以在该读控制信号及该互补读控制信号控制下产生一读延迟控制信号及一互补读延迟控制信号；第一传输门电路，连接于该第一初始电压控制电路输出端与一译码控制电路之间，同时该第一传输门电路还连接于一该读延迟控制电路的输出端，以在该读延迟控制信号与该互补读延迟控制信号的控制下导通或截止；译码控制电路，用于控制存储单元的访问，包括多个串联的MOS管，其一端连接该存储单元，另一端连接于该第一传输门电路，每个MOS管的栅极均连接控制信号；以及输出电路，至少包括一输出缓冲放大器，该输出缓冲放大器之一输入端连接一基准电压，另一输入端连接于该第一初始电压控制电路输出端，输出端输出该存储单元的信息；该第一初始电压控制电路包括第一PMOS晶体管及第一电容，该第一PMOS晶体管源极接至该电源电压，栅极接该初始电压控制信号，漏极接至该第一传输门电路及该输出电路，并通过该第一电容接地。2.如权利要求1所述的低功耗读出放大器，其特征在于：该第一传输门电路至少包括第二PMOS晶体管及第一NMOS晶体管，该第二PMOS晶体管源极与该第一NMOS晶体管漏极共同接至该第一初始电压控制电路的输出端，该第二PMOS晶体管漏极与第一NMOS晶体管源极共同接至该译码控制电路，该第一NMOS晶体管栅极接该读延迟控制信号，该第二PMOS晶体管栅极接该互补读延迟控制信号。3.如权利要求1所述的低功耗读出放大器，其特征在于：该低功耗读出放大器还包括一位线电容，该位线电容连接于该译码控制电路与地之间。4.如权利要求1所述的低功耗读出放大器，其特征在于：该基准电压接至...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨光军，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：31