开关结构制造技术

技术编号:7120473 阅读:188 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术公开了一种具有调速功能、整机保护功能和电池保护功能的开关结构,包括调速控制板和设置在调速控制板上的调速装置,还包括设置在调速控制板上的整机保护装置、设置在调速控制板上的电池保护装置、金属—氧化物—半导体场效应晶体管和单片机,调速装置、整机保护装置和电池保护装置分别与单片机的一侧相连,单片机的另一侧与金属—氧化物—半导体场效应晶体管相连。本发明专利技术的优点是:将调速装置、整机保护装置和电池保护装置集成到一个调速控制板上后,整机中一部分电子元件可以共用,并可减小上述三个装置在整机中所占的空间,可将整机做小,从而节省生产成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及到一种开关结构
技术介绍
电动工具在相关行业中被广泛应用。为了使电动工具既满足市场需要,又满足行业标准,通常电动工具具有调速功能、整机保护功能和电池保护功能等。在实际生产时,调速功能由开关实现,而整机保护装置和电池保护装置做在一个整机保护板上后和开关一起装到整机里。由于开关、整机保护装置和电池保护装置分开安装,这样在整机中所占空间就会很大,带来的后果就是整机体型变大,而且还会造成一些电子元件的重复利用,造成浪费,提高了生产成本。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种开关结构,该开关结构具有调速功能、整机保护功能和电池保护功能。为解决上述技术问题,本专利技术采用的技术方案为一种开关结构,包括调速控制板和设置在调速控制板上的调速装置,还包括设置在调速控制板上的整机保护装置、设置在调速控制板上的电池保护装置、金属一氧化物一半导体场效应晶体管和单片机,调速装置、 整机保护装置和电池保护装置分别与单片机的一侧相连,单片机的另一侧与金属一氧化物一半导体场效应晶体管相连。本专利技术的有益效果是将调速装置、整机保护装置和电池保护装置集成到一个调速控制板上后,整机中一部分电子元件可以共用,并可减小上述三个装置在整机中所占的空间,可将整机做小,从而节省生产成本。附图说明图1是本专利技术开关结构的电路框图。图中1、调速控制板,2、调速装置,3、散整机保护装置,4、电池保护装置,5、金属一氧化物一半导体场效应晶体管,6、单片机。具体实施例方式下面结合附图,详细描述本专利技术的具体实施方案。如图1所示,本专利技术所述的开关结构,包括调速控制板1、设置在调速控制板1上的调速装置2、设置在调速控制板1上的整机保护装置3、设置在调速控制板1上的电池保护装置4、金属一氧化物一半导体场效应晶体管5和单片机6,调速装置2、整机保护装置3和电池保护装置4分别与单片机6的一侧相连,单片机6的另一侧与金属一氧化物一半导体场效应晶体管5相连。金属一氧化物一半导体场效应晶体管5的另一端为开关结构的输出端。其中调试装置2、整机保护装置3和电池保护装置4为电动工具中常用装置。在实际生3产时,单片机6和金属一氧化物一半导体场效应晶体管5也可集成到调速控制板1上。 本专利技术的有益效果是将调速装置2、整机保护装置3和电池保护装置4集成到一个调速控制板上1,整机中一部分电子元件就可以共用,并减小上述三个装置在整机中所占的空间,可将整机做小,从而节省生产成本。权利要求1.开关结构,包括调速控制板和设置在调速控制板上的调速装置,其特征在于还包括设置在调速控制板上的整机保护装置、设置在调速控制板上的电池保护装置、金属一氧化物一半导体场效应晶体管和单片机,调速装置、整机保护装置和电池保护装置分别与单片机的一侧相连,单片机的另一侧与金属一氧化物一半导体场效应晶体管相连。全文摘要本专利技术公开了一种具有调速功能、整机保护功能和电池保护功能的开关结构,包括调速控制板和设置在调速控制板上的调速装置,还包括设置在调速控制板上的整机保护装置、设置在调速控制板上的电池保护装置、金属—氧化物—半导体场效应晶体管和单片机,调速装置、整机保护装置和电池保护装置分别与单片机的一侧相连,单片机的另一侧与金属—氧化物—半导体场效应晶体管相连。本专利技术的优点是将调速装置、整机保护装置和电池保护装置集成到一个调速控制板上后,整机中一部分电子元件可以共用,并可减小上述三个装置在整机中所占的空间,可将整机做小,从而节省生产成本。文档编号B25F5/00GK102350689SQ20111014343公开日2012年2月15日 申请日期2011年5月31日 优先权日2011年5月31日专利技术者王金峰, 陆亚洲 申请人:张家港华捷电子有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.开关结构,包括调速控制板和设置在调速控制板上的调速装置,其特征在于:还包括设置在调速控制板上的整机保护装置、设置在调速控制板上的电池保护装置、金属—氧化物—半导体场效应晶体管和单片机,调速装置、整机保护装置和电池保护装置分别与单片机的一侧相连,单片机的另一侧与金属—氧化物—半导体场效应晶体管相连。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:陆亚洲王金峰
申请(专利权)人:张家港华捷电子有限公司
类型:发明
国别省市:32

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