PTC陶瓷热敏电阻制造技术

技术编号:7118975 阅读:296 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术的PTC陶瓷热敏电阻,以纯度99.5%-99.99%,粒度0.1-2微米的碳酸钡为基制得,材料的重量百分比为:碳酸钡,电子级,57.53%;碳酸锶,电子级,11.83%;氧化钇,电子级,0.4321%;氧化硅,电子级,0.4013%;氧化钛,电子级,30.41%;氧化锰,电子级,0.417%。其具有耐压高、残余电流小、功率低、使用安全、可靠性高、寿命长等特点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种PTC陶瓷热敏电阻
技术介绍
为了消除彩管阴罩,防暴环剩磁及地磁等杂散磁场对彩色画面的影响,自动消磁用PTC热敏电阻器已成为彩色电视机、彩色显示器的重要元件之一。PTC热敏电阻器消磁原理开关闭合的瞬间,由于热敏电阻的初阻很小,起始电流很大,随着热敏电阻器温度升高, 电阻值逐渐增大,使回路电流减少,因而在消磁线圈中产生周期性衰减的交变电场,从而磁滞回线也必须按周期减小,从而达到消磁目的。但是,现有的以碳酸钡为基制成的PTC热敏电阻材料,其电阻器的阻值和耐压都难以达到要求,生产合格率不足20%,效率太低。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种合格率高、寿命长、安全可靠的PTC陶瓷热敏电阻。本专利技术是通过以下技术方案来实现的为解决上述技术问题,本专利技术采用如下技术方案以纯度99. 5%-99. 99%,粒度0. 1_2微米的碳酸钡为基制得,材料的重量百分比为碳酸钡电子级57. 53%碳酸锶电子级11.83%氧化钇电子级0.4321%氧化硅电子级0.4013%氧化钛电子级30.41%氧化锰电子级0.417%。本专利技术的PTC陶瓷热敏电阻,开机时热敏电阻为冷态低阻,通电后在电流作用下升温、阻值迅速提高,因它串在消磁线圈回路工作,所以消磁线圈就是开机瞬间有大的交流工作电流(消磁)很快由于热敏电阻的阻值增大(几十至数百千欧),消磁线圈中的工作电流几乎为零(相当于开路,不工作了,即消磁线圈只在冷态开机瞬间工作);其具有耐压高、残余电流小、功率低、使用安全、可靠性高、寿命长等特点。具体实施例方式本实施例中,所述PTC陶瓷热敏电阻,以纯度99. 5%-99. 99%,粒度0. 1-2微米的碳酸钡为基制得,材料的重量百分比为碳酸钡电子级57. 53%碳酸锶电子级11.83%氧化钇电子级0.4321%氧化硅电子级0.4013%氧化钛电子级30.41%氧化锰电子级0.417%。碳酸钡作为主料,是提供PTC效应的基础,随着其纯度和粒度的提高材料的阻值下降,电压梯度上升;氧化钇能显著提高材料的半导化程度,随着掺入量的增大,其电阻会上升;氧化硅具有提高瓷片耐压、吸附界面有害杂质的作用,随着掺入量的增大,材料的电阻呈下凹变化曲线,电压梯度随之增大;氧化锰能大幅提高材料的PTC效应,随着掺入量增大,材料的电阻和电压梯度均增大;氧化钛对改善材料的半导化程度,降低气吸率都有一定作用,随着掺入量的增大,材料的电阻值比值的数量级成下降趋势。本专利技术的PTC陶瓷热敏电阻,开机时热敏电阻为冷态低阻,通电后在电流作用下升温、阻值迅速提高,因它串在消磁线圈回路工作,所以消磁线圈就是开机瞬间有大的交流工作电流(消磁)很快由于热敏电阻的阻值增大(几十至数百千欧),消磁线圈中的工作电流几乎为零(相当于开路,不工作了,即消磁线圈只在冷态开机瞬间工作);其具有耐压高、残余电流小、功率低、使用安全、可靠性高、寿命长等特点。以上已将本专利技术做一详细说明,以上所述,仅为本专利技术之较佳实施例而已,当不能限定本专利技术实施范围,即凡依本申请范围所作均等变化与修饰,皆应仍属本专利技术涵盖范围内。权利要求1. 一种PTC陶瓷热敏电阻,其特征在于以纯度99. 5%-99. 99%,粒度0. 1-2微米的碳酸钡为基制得,材料的重量百分比为碳酸钡电子级57. 53%碳酸锶电子级11. 83%氧化钇电子级0.4321%氧化硅电子级0.4013%氧化钛电子级30.41%氧化锰电子级0. 417%ο全文摘要本专利技术的PTC陶瓷热敏电阻,以纯度99.5%-99.99%,粒度0.1-2微米的碳酸钡为基制得,材料的重量百分比为碳酸钡,电子级,57.53%;碳酸锶,电子级,11.83%;氧化钇,电子级,0.4321%;氧化硅,电子级,0.4013%;氧化钛,电子级,30.41%;氧化锰,电子级,0.417%。其具有耐压高、残余电流小、功率低、使用安全、可靠性高、寿命长等特点。文档编号H01C7/02GK102354591SQ20111017226公开日2012年2月15日 申请日期2011年6月24日 优先权日2011年6月24日专利技术者张习莲 申请人:东莞市宇驰电子有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
1. 一种PTC陶瓷热敏电阻,其特征在于:以纯度99.5%-99.99%,粒度0.1-2微米的碳酸钡为基制得,材料的重量百分比为:碳酸钡            电子级               57.53%碳酸锶            电子级               11.83%氧化钇            电子级               0.4321%氧化硅            电子级               0.4013%氧化钛            电子级               30.41%氧化锰            电子级               0.417%。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:张习莲
申请(专利权)人:东莞市宇驰电子有限公司
类型:发明
国别省市:44

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